版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、A2Ⅴ-B3Ⅵ(A=Bi、Sb,B=Te、Se)族化合物及其合金,是目前在室溫附近性能最好,并且廣泛應(yīng)用于熱電制冷領(lǐng)域的一類化合物,但是其商業(yè)化應(yīng)用塊體材料的ZT值一直徘徊在1.0左右,制約了其熱電轉(zhuǎn)換效率的進(jìn)一步提高。近年來有關(guān)材料低維化可以提高熱電優(yōu)值的報道不斷涌現(xiàn),通過減小晶粒尺寸,可以有效的增加材料的晶界濃度,改變材料的能帶結(jié)構(gòu),增加對載流子和聲子的散射,提高Seebeck系數(shù),降低熱導(dǎo)率,從而提高材料整體的ZT值。因此我們期望
2、探尋能夠快速、可控、批量的制備純凈納米粉體的方法,用于滿足生產(chǎn)商業(yè)化熱電制冷器件的需求。
本文以Bi2Se3基熱電化合物作為研究重點(diǎn),分別采用溶劑熱法和低溫濕化學(xué)法合成了Bi2Se3納米粉體,重點(diǎn)探討了制備工藝參數(shù)對合成產(chǎn)物相組成和微結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律,并討論了反應(yīng)機(jī)理;同時結(jié)合放電等離子燒結(jié)技術(shù)制備了塊體Bi2Se3基化合物,并初步研究其熱電性能。
采用溶劑熱法合成Bi2Se3納米粉體的過程中,系統(tǒng)的研究了不同
3、的起始反應(yīng)原料、不同的混合溶劑及其配比、不同的反應(yīng)溫度與時間、堿性調(diào)節(jié)劑的含量以及選擇不同的表面活性劑等制備工藝參數(shù)對合成產(chǎn)物相組成和微結(jié)構(gòu)的影響,得出最佳工藝參數(shù)為:以Bi(NO3)3·5H2O和Se單質(zhì)作為起始原料,選擇乙二醇與水為1:1混合溶液作為溶劑,設(shè)定反應(yīng)溫度為180℃,時間為24h,堿的濃度為0.25mol/L,表面活性劑PVP含量為1.0g。采用該工藝制備的單相的Bi2Se3,顆粒尺寸大約在30nm左右,分散均勻。對反應(yīng)
4、原理進(jìn)行了探討,認(rèn)為反應(yīng)過程中同時存在離子和原子反應(yīng)機(jī)制。采用合成的粉體探索了燒結(jié)壓力與溫度對塊體致密度的影響,確定最佳燒結(jié)工藝制度為:500℃,保溫5min,升溫速率50℃/min,燒結(jié)壓力為35MPa,得到塊體的相對密度達(dá)到90%;燒結(jié)后塊體仍為單相,且無明顯的孔洞,晶粒尺寸在100nm左右,與粉體粒徑相比明顯增大。樣品的ZT值在550K時達(dá)到最大值0.3。
選擇了Te元素進(jìn)行摻雜,在優(yōu)化了的二元Bi2Se3制備工藝基
5、礎(chǔ)上,進(jìn)一步探索了三元Bi2Se2Te的合成工藝,在乙二醇與水為1:1的混合溶劑中,堿的濃度為0.25mol/L,添加1.0g表面活性劑PVP,在200℃反應(yīng)36h可以合成單相Bi2Se2Te納米粉體,顆粒尺寸約為30nm,且分散均勻,并采用SPS燒結(jié)技術(shù)制備了單相Bi2Se2Te塊體,斷面場發(fā)射掃描照片中沒有觀察到明顯的孔洞,且塊體的相對密度達(dá)到90%,其ZT值在550K時達(dá)到最大值0.4,與二元未摻雜樣品相比提高30%。
6、 采用無還原劑一步濕化學(xué)反應(yīng)快速合成了具有高度取向的超薄六邊形Bi2Se3納米片,系統(tǒng)的研究了反應(yīng)溫度與時間、pH值、絡(luò)合劑種類及其含量、干燥方式以及磁力攪拌與超聲等制備工藝參數(shù)對合成產(chǎn)物相組成和微結(jié)構(gòu)的影響,得出最佳工藝參數(shù)為:采用磁力攪拌30min,在pH=10的NH3·H2O-NH4Cl緩沖溶液中添加0.5g絡(luò)合劑EDTA,然后加入Na2SeSO3,在85℃反應(yīng)6h,將得到的產(chǎn)物進(jìn)行冷凍干燥。采用該工藝制備的單相的Bi2Se3為
7、形狀規(guī)則的六邊形單晶納米片,片的邊長大約在100~200nm左右,厚度約20nm,且分散均勻。初步探索了反應(yīng)機(jī)制,并認(rèn)為在不添加任何還原劑的情況下,該反應(yīng)過程屬于離子反應(yīng)機(jī)制。即在反應(yīng)溶液中Se2-離子定向吸附在六元環(huán)狀的Bi[EDTA]+螯合物表面,非均勻成核,并以此作為軟模板,定向排列,依據(jù)取向連接機(jī)制,進(jìn)一步成核長大,最終生長成為六邊形單晶納米片。低溫濕化學(xué)法制備的二元Bi2Se3塊體的ZT值在475K時最高為0.3,與溶劑熱法制
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 超聲化學(xué)法合成納米Bi-,2-Te-,3-基熱電化合物.pdf
- 納米Bi-,2-Te-,3-基化合物的濕化學(xué)法合成及熱電性能研究.pdf
- 微波濕化學(xué)方法制備納米Bi-,2-Te-,3--Bi-,2-Se-,3-系熱電材料.pdf
- AgSbTe-,2-基熱電化合物的化學(xué)法制備及其熱電性能研究.pdf
- 微波濕化學(xué)法制備Bi-,2-Te-,3-系化合物固溶體熱電材料.pdf
- 超聲化學(xué)法合成In4Se3熱電化合物及其熱電性能研究.pdf
- Cu2Se基化合物的制備及熱電性能.pdf
- 熱擠壓法制備Bi-,2-Te-,3-基熱電材料及其性能研究.pdf
- Bi-,2-Te-,3-基熱電材料的制備與性能研究.pdf
- Bi-,2-Te-,3-和Bi-,2-Se-,3-納米粉末的化學(xué)合成.pdf
- 高性能Bi-,2-Te-,3-基熱電合金制備與性能研究.pdf
- Bi-,2-Te-,3-基塊狀納米熱電材料制備與性能.pdf
- N型Bi-,2-Te-,3-—Bi-,2-Se-,3-溫差電材料的研究.pdf
- Ti基half-Heusler熱電化合物的制備及其熱電性能研究.pdf
- bi2se3基合金熱電性能研究
- Bi-,2-Sr-,2-Co-,2-O-,y-化合物熱電材料的制備及其熱電性能.pdf
- 納米晶Bi-,2-Te-,3-熱電薄膜材料的電化學(xué)制備、結(jié)構(gòu)及性能研究.pdf
- 電化學(xué)原子層外延制備Bi-,2-Te-,3-納米熱電薄膜的研究.pdf
- VAPE法制備Bi-,2-Te-,3-系納米熱電薄膜的研究.pdf
- InSb基化合物的制備及熱電性能.pdf
評論
0/150
提交評論