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1、河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文硅鍺薄膜材料的RFPECVD法制備及其在太陽電池中的應(yīng)用姓名:張洪申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師:劉彩池張建軍20100301硅鍺薄膜材料的RFPECVD法制備及其在太陽電池中的應(yīng)用iiTTTTHEHEHEHERESEARCHRESEARCHRESEARCHRESEARCHOFOFOFOFSiGe:HSiGe:HSiGe:HSiGe:HALLOYALLOYALLOYALLOYTHINTHINTHI
2、NTHINFILMFILMFILMFILMBYBYBYBYRFRFRFRFPECVDPECVDPECVDPECVDITSITSITSITSAPPLICATIONAPPLICATIONAPPLICATIONAPPLICATIONININININSOLARSOLARSOLARSOLARCELLCELLCELLCELLABSTRACTABSTRACTABSTRACTABSTRACTBecauseofthehighabsptioncoeffic
3、ientthenarrowbgap(1.1~0.66eV)ofsilicongermanium(SiGe)thinfilm,ithastheabilitytoexpabsptionofsolarspectrumimprovetheconversionefficiencyofthesolarcells.theSiGethinfilmsinthetriplejunctionsolarcellshavegoodstructurehavethe
4、abilitytoimprovetheefficiencystability.Soithasattractedagreatdealofresearchinterestingfsolarcellsapplication.ThesilicongermaniumthinfilmsusedinthisstudywerefabricatedbyRFPECVDsystem.Severalseriesofsilicongermaniumthinfil
5、msfabricatedunderdifferentsubstratetemperaturesdisgepowershydrogendilutionsgermaneconcentrationsreactivepressuresdistanceofelectrodesoonhavebeenstudied.Theresultsindicatedthatthedarkconductivityincreasedwiththeincreaseof
6、substratetemperaturegermaneconcentrationsthedecreaseofreactivepressureshydrogendilutions.Howeverthephotosensitivityincreasedwiththeincreaseofdisgepowersubstratetemperaturethedecreaseofgermaneconcentrationshydrogendilutio
7、ns.TheamphousSiGethinfilmsmaterialswith5105photosensitivityhavebeenmanufacturedwhentemperaturewas175℃germaneconcentrationwas5%hydrogendilutionswas24totalfluxwas200sccmreactivepressurewas3Tr,disgepowerwas90W.TheamphousSiG
8、ethinfilmsdepositionratewas0.08nms.ThemicrocrystallineSiGethinfilmsmaterialswith2104photosensitivityhavebeenmanufacturedwhentemperaturewas175℃germaneconcentrationwas1.4%hydrogendilutionswas82totalfluxwas400sccmreactivepr
9、essurewas3Tr,disgepowerwas60W.ThemicrocrystallineSiGethinfilmsdepositionratewas0.04nmstheχcwas41%.ThepropertiesofSiGethinfilmssolarcellswerestudiedonthebasisoftheachievementsIhadattainedinthematerialsproperties.Therelati
10、onshipbetweentheperfmancesofSiGethinfilmssolarcellsthematerialspropertieswerestudied.ThestructureofthinsilicongermaniumfilmsolarcellswasglassSnO2paSi:HiaSiGe:Hnnc–Si:HAl.Theconversionefficiencywith4.29%wasachieved.Toopti
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