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文檔簡介
1、太赫茲功能器件是太赫茲研究領(lǐng)域中非常重要的一部分,其中基于鐵電材料的太赫茲波調(diào)制器件,由于其重要的研究和應(yīng)用價值而受到廣泛關(guān)注。本論文著重于研究基于鈦酸銅鈣陶瓷和不同摻雜近化學(xué)計量比鈮酸鋰晶體等鐵電材料在太赫茲波段的調(diào)制特性。通過建立模型,分析了太赫茲波與鐵電材料相互作用的物理機制。利用太赫茲時域光譜系統(tǒng)對鈦酸銅鈣和不同摻雜近化學(xué)計量比鈮酸鋰晶體在太赫茲波段的物理性質(zhì)和介電響應(yīng)進行了研究,重點采用光控手段對這些鐵電材料在太赫茲波段的介電
2、常數(shù)進行調(diào)制,調(diào)制幅度分別達到了7%和5.5%,并且探討了影響鐵電材料在太赫茲波段介電響應(yīng)的各種微觀機制以及實驗中觀測到的光鐵電現(xiàn)象。具體研究內(nèi)容如下:
(1)介紹了太赫茲技術(shù)和鐵電體的基本概念。對太赫茲波的應(yīng)用系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和太赫茲時域光譜技術(shù)進行了簡介。討論了鐵電微觀機制中的軟模理論,它認為鐵電相變是由晶體布里淵區(qū)中心的某個光學(xué)橫模振動頻率的下降引起的。我們利用德拜弛豫模型和振子模型來探討鐵電體的介電響應(yīng)頻譜,它們分別對應(yīng)于有序
3、無序型鐵電體和位移型鐵電體。介紹了一些常見的光鐵電現(xiàn)象,重點討論了反常光生伏打效應(yīng)和光折變效應(yīng)。
(2)采用實驗方法測量了室溫下鈦酸銅鈣(CCTO)陶瓷在太赫茲波段的光譜特性。通過數(shù)據(jù)處理和計算得到了鈦酸銅鈣陶瓷在太赫茲波段的復(fù)介電常數(shù)色散曲線。CCTO在太赫茲波段的介電常數(shù)數(shù)值約為65~75,并沒有表現(xiàn)出較強的巨介電性質(zhì)。當對樣品材料施加不同強度的外光場時,我們實現(xiàn)了對CCTO介電常數(shù)的調(diào)制,調(diào)制幅度可達7%。我們觀察到樣品
4、折射率的變化與外加光場的強度成線性關(guān)系,這些變化被認為是由材料中光生載流子導(dǎo)致的自發(fā)極化的改變引起的。
(3)采用實驗方法測量了室溫下?lián)借F近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶和摻鈰近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶在太赫茲波段的光譜特性。通過數(shù)據(jù)處理和計算得到了兩種晶體在太赫茲波段的復(fù)介電常數(shù)、吸收系數(shù)、復(fù)折射率色散曲線。在太赫茲波段,摻鐵近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶的介電常數(shù)約為42~46,折射率約為6.5~6.8;吸收系數(shù)約為60~100cm-1,略大于
5、無摻雜的近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶。在太赫茲波段,摻鈰近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶的介電常數(shù)約為39~43,折射率約為6.3~6.6;吸收系數(shù)約為70~120cm-1,略大于無摻雜的近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶。
(4)利用外加光場的方法實現(xiàn)了對摻鐵近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶和摻鈰近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶在太赫茲波段的介電常數(shù)和吸收系數(shù)的調(diào)制,對介電常數(shù)的調(diào)制幅度分別達到3%和1.8%,對吸收系數(shù)的調(diào)制幅度分別達到5.5%和4%。當光強較小時,晶體
6、的折射率變化量隨著外加光場強度的變化成線性關(guān)系,這一現(xiàn)象被認為是由光折變效應(yīng)引起的,即光生載流子的空間位移在晶體內(nèi)部產(chǎn)生了空間電荷場,它通過線性電光效應(yīng)引起了晶體折射率的變化。其中摻鐵近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶的光折變效應(yīng)明顯強于摻鈰近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶。另外,當光強達到一定程度后,我們在兩種晶體當中均觀測到光折變效應(yīng)的突然減弱,引起這一現(xiàn)象的原因被歸結(jié)為光致疇反轉(zhuǎn)。在摻鐵近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶觀察到光致疇反轉(zhuǎn)現(xiàn)象所需的光強要低于摻鈰近化
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