電阻陣列非均勻性自適應校正技術研究.pdf

1、作為紅外仿真成像系統(tǒng)的核心器件,電阻陣列的非均勻性直接影響系統(tǒng)的成像效果。多年來國內外對提高陣列非均勻性給予了高度重視并積極展開研究工作。目前陣列非均勻性較差、校正工作繁瑣復雜、算法硬件實現(xiàn)較為困難等問題尚未解決。這些缺陷都影響到了陣列輻射成像對實際場景的模擬效果。因此,本文從原始信息測量和校正算法兩方面入手,研究出了精確高效的測量方法和校正算法,這對紅外成像系統(tǒng)的仿真應用有重大意義。
　　本文在電阻陣列非均勻信息測量和非均勻性校

2、正算法兩方面做了一些深入研究,在獲得準確的非均勻信息基礎上，提出不同校正算法,檢驗算法對非均勻性的改善情況并給出不同算法適用的場合。首先,研究了獲取準確的原始非均勻信息的測量方法,比較簡單低成本的稀疏網(wǎng)格法、簡化稀疏網(wǎng)格法,高效的PSF粗估計全屏點亮法以及稀疏網(wǎng)格-PSF估計混合測試方法。研究了不同測試方法能達到的精度要求和適用的測試環(huán)境。為下一步非均勻性算法研究獲得準確的原始信息。其次,提出分段校正算法,給出了電阻元特征響應曲線擬合辦

3、法,完成特征曲線線性化等分段校正基礎工作,在此基礎上給出了分段校正算法原理與具體實現(xiàn)過程,并利用數(shù)值電阻對算法進行仿真,驗證分段校正算法對非均勻性的改善情況。然后,提出自適應校正算法,建立算法網(wǎng)絡模型結構,確定了激活函數(shù)和目標函數(shù)以及網(wǎng)絡權值修改方法,并利用模型獲得了電阻元輸出響應曲線。給出了自適應校正算法的原理和實現(xiàn)步驟,利用數(shù)值電阻對算法進行了仿真驗證,并由此得知在固有非均勻較為理想的情況下,自適應校正算法具有非常好的校正效果。最后