反鐵磁-電介質(zhì)體系磁光學(xué)非線性研究.pdf

1、典型反鐵磁體的共振頻率處于遠(yuǎn)紅外到毫米波區(qū)間。此共振頻率位于太赫茲頻段，因此通過實(shí)驗(yàn)和理論研究反鐵磁體的非線性性質(zhì)是有意義的。人們?cè)噲D開發(fā)太赫茲技術(shù)用于未來的通信和探測(cè)。反鐵磁體的非線性效應(yīng)比較弱，增強(qiáng)非線性效應(yīng)對(duì)應(yīng)用來講是非常重要的。二次諧波技術(shù)是在沒有對(duì)應(yīng)激光器頻段產(chǎn)生光源的常用方法，也是用實(shí)現(xiàn)頻率轉(zhuǎn)換的方法。很多光學(xué)器件的基礎(chǔ)就是光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)，如光開關(guān)，光存儲(chǔ)和光邏輯器件等。反鐵磁非線性效應(yīng)基于反鐵磁磁矩和電磁波間的偶極相互作用。激

2、發(fā)反鐵磁膜的非線性效應(yīng)需要很高的光強(qiáng)，而現(xiàn)有的技術(shù)很難達(dá)到這個(gè)要求。在現(xiàn)有光源的基礎(chǔ)上尋找方法提高非線性效應(yīng)是很有意義的課題。
　　本文建立了關(guān)于反鐵磁體的非線性理論并且研究了反鐵磁膜的二次諧波生成和光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)，主要研究結(jié)果或創(chuàng)新點(diǎn)如下:
　　1.根據(jù)典型反鐵磁體(FeF2，MnF2，CoF2等)的磁結(jié)構(gòu)，用雙子格反鐵磁模型，從磁矩動(dòng)力學(xué)方程計(jì)算了反鐵磁非線性磁化和磁化率，動(dòng)力學(xué)方程的阻尼為吉伯形式。得到了顯函數(shù)形式的有外場(chǎng)

3、存在時(shí)反鐵磁體非線性磁化率，為各種反鐵磁介質(zhì)的非線性現(xiàn)象研究打下非常重要的基礎(chǔ)。
　　2.研究了Voigt位型下輸入強(qiáng)度一定時(shí)增強(qiáng)反鐵磁膜二次諧波的方法。首先，第一個(gè)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)是反鐵磁膜夾于兩種電介質(zhì)中間，電磁波傾斜入射時(shí)，反鐵磁膜的二次諧波生成。發(fā)現(xiàn)二次諧波生成能流與電介質(zhì)與入射角度密切相關(guān)。輸出二次諧波功率可比裸膜高240倍。
　　3.在Voigt位型下，將反鐵磁膜插入電介質(zhì)光子晶體中可有更高功率的二次諧波輸出。發(fā)現(xiàn)這種高

4、輸出的物理機(jī)制是光的局域化造成的。計(jì)算了三種典型的光子晶體結(jié)構(gòu)，對(duì)于二次諧波生成最好的結(jié)構(gòu)是含有偶數(shù)個(gè)電介質(zhì)雙層的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，二次諧波生成有三個(gè)頻帶，最高的生成能流是裸膜的350倍。二次諧波生成具有非倒易性。
　　4.討論了Faraday位型下增強(qiáng)反鐵磁膜二次諧波生成的方法。首先研究了反鐵磁膜的二次諧波生成。橫電波(TE)入射到反鐵磁膜，在四個(gè)共振頻率處二次諧波生成效率較高。橫磁波(TM)入射時(shí)，只有一個(gè)二次諧波生成輸出峰。當(dāng)兩種

5、波入射波垂直入射時(shí)不生成二次諧波。其次，研究了反鐵磁膜插入電介質(zhì)光子晶體的情況。數(shù)值計(jì)算了三種典型結(jié)構(gòu)的二次諧波生成。最好的結(jié)構(gòu)生成二次諧波能流是裸膜的4400倍。確定了最好的結(jié)構(gòu)和層厚度。二次諧波生成的非倒易性非常明顯。
　　5.作為對(duì)反鐵磁體三階非線性效應(yīng)的探索和對(duì)三階磁化率的應(yīng)用計(jì)算了反鐵磁裸膜的光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)。給出了出現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)的判據(jù)，發(fā)現(xiàn)只有在特定的入射角和頻率時(shí)才可能出現(xiàn)光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)。根據(jù)反鐵磁膜厚確定了雙穩(wěn)態(tài)存在的區(qū)域并研究