鍵合Nd:YAG、Nd:YVO-,4-光電器件研制及性能測試研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于在生活生產(chǎn)各個領域的大量需求,光電技術領域正突飛猛進的發(fā)展,其中光電材料是這個領域中至關重要的組成部分。光電技術用的各類材料中,晶體材料的生長、加工、鍍膜等各個環(huán)節(jié)的設計和控制是一大研究熱點。我們本文中主要關注一類特殊的光電晶體--鍵合晶體。鍵合晶體是把一塊激光晶體和一塊或兩塊純的非摻雜同質(zhì)基底材料通過鍵合技術實現(xiàn)穩(wěn)固結合的一種產(chǎn)品。由于不摻雜晶體起到熱沉的作用,利于晶體更好地散熱,有效地改善了晶體中心和側面的溫度梯度(在相同泵浦條

2、件下,以鍵合品體YVOa&Nd:YV04替代Nd:YV04晶體,最大溫升可降低23.4%),減小了由端面變形和熱致溫度梯度引起的熱透鏡效應,有利于激光器穩(wěn)定及高功率運轉。同時,鍵合工藝還可以獲得大尺寸的激光晶體,可以使很多性能優(yōu)異但生長尺寸受到限制的晶體重新煥發(fā)生機,使其產(chǎn)業(yè)化成為可能。再者,通過鍵合晶體,可以優(yōu)化激光器的設計,實現(xiàn)小型化和集成化,在被動調(diào)Q激光器中應用突出。
   因此,鍵合晶體在充分發(fā)揮激光晶體性能的作用中有

3、突出的貢獻,研究鍵合晶體的生產(chǎn)工藝和其激光性能,可以發(fā)現(xiàn)晶體的優(yōu)缺點,更好的發(fā)揮晶體的性能,實現(xiàn)高功率高質(zhì)量的激光輸出。研究不同工藝的鍵合晶體的激光性能,對于實際應用和生產(chǎn)都具有指導意義。
   本論文對鍵合激光晶體進行了系統(tǒng)研究,包括晶體毛坯的生長、晶體加工、鍵合晶體加工工藝、鍵合晶體的激光性能研究等一系列的內(nèi)容。具體研究內(nèi)容如下:
   1.研究了Nd:YV04和Nd:YAG晶體的毛坯生長工藝,包括多品料合成、單晶生

4、長、降溫、退火等各個環(huán)節(jié)的實施原則和控制,以及毛坯質(zhì)量評價過程。并實際生長了多塊高質(zhì)量的Nd:YV04和Nd:YAG晶體毛坯。
   2.研究了Nd:YV04和Nd:YAG鍵合晶體的制作工藝,包括備毛坯料、基片切割、基片粗磨、基片拋光、基片檢測、光膠、升溫處理、光膠面檢測、鍵合晶體粗磨、鍵合晶體拋光、鍵合晶體端面檢測、鍍膜、鍵合晶體鍍膜檢測等各個環(huán)節(jié),并在此基礎上制作了多塊鍵合晶體,包括單端鍵合YVOVNd:YV04品體、雙端鍵

5、合YV04/Nd:YV04/YV04、單端鍵合YAG/Nd:YAG晶體等。
   3.通過具體實驗分析,研究了鍵合晶體在減弱熱效應的影響、提高激光輸出性能的效果,包括進行鍵合Nd:YAG晶體產(chǎn)生1123nm激光的研究,并與非鍵合Nd:YAG晶體的性能進行比較:研究單端鍵合Nd:YV04晶體的激光性能,包括兩部分內(nèi)容,首先是對鍵合Nd:YV04晶體產(chǎn)生1064nm激光的研究,其次是該晶體產(chǎn)生1085nm激光的研究:對LD端泵情況下

6、單端鍵合Nd:YV04晶體的熱焦距進行了測量;用單端鍵合Nd:YV04晶體作為激光增益介質(zhì),進行了內(nèi)腔式KTiOAs04(KTA)光參量振蕩器(OPO)的研究,實現(xiàn)了高轉換效率的3.5微米中紅外激光輸出;對雙端鍵合Nd:YV04晶體的激光性能進行了實驗研究,實驗中采用LD雙端泵浦,以提高激光輸出功率,并對實驗結果進行了分析。
   本論文的主要創(chuàng)新點如下:
   1.首次用鍵合Nd:YAG晶體產(chǎn)生1123nm激光,并獲得

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