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1、化合物半導(dǎo)體缺陷的正電子壽命譜研究理論物理專業(yè)研究生 張伶俐指導(dǎo)教師 鄧愛紅正電子湮滅技術(shù)是一種研究半導(dǎo)體缺陷的有效方法,尤其是對(duì)空位型缺陷的研究.由于化合物半導(dǎo)體在制備高溫、高頻、大功率和抗輻射IC器件中極具潛力,因此人們越來越多的利用正電子湮滅技術(shù)對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行缺陷研究.該文主要介紹了利用正電子壽命譜技術(shù)對(duì)化合物半導(dǎo)體的研究,主要包括三部分內(nèi)容:1.介紹了正電子在固體中湮滅的基本理論和幾種主要的正電子湮滅技術(shù),其中著重介紹了正電
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