新型高電導(dǎo)寬帶隙太陽能電池窗口材料的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、P型窗口層是影響非晶硅(a-Si)和微晶硅(μc-Si)薄膜太陽電池整體性能的重要因素之一.本論文采用七室連續(xù)RF-PECVD系統(tǒng),用常規(guī)摻雜劑乙硼烷制備了非晶和微晶兩種窗口材料,以新型摻雜劑三甲基硼制備了非晶硅窗口材料.實(shí)驗(yàn)研究了工藝參數(shù)對材料性能的影響,并且考察了這幾種窗口材料在硅薄膜太陽電池上的適用性.以B<,2>H<,6>為摻雜劑制備a-SiC:H窗口材料的暗電導(dǎo)達(dá)到了10<'-7>s/cm的數(shù)量級,光學(xué)帶隙達(dá)到1.80~1.9

2、5ev.用這種窗口材料制備的單結(jié)非晶硅太陽電池最好性能為:開路電壓V<,oc>為0.835V,短路電流J<,sc>為13.03mA/cm<'2>,填充因子FF達(dá)0.725,初始效率為7.89﹪.μc-SiC:H窗口材料的制備仍以B<,2>H<,6>為摻雜劑,暗電導(dǎo)最高達(dá)到了2.24s/cm.采用μc-SiC:H窗口材料的單節(jié)μc-Si:H電池初始效率達(dá)到4.80﹪,自然衰退率都小于15﹪.用新型摻雜劑三甲基硼制備的a-SiC:H窗口材料

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