激光束掩膜版圖形寫(xiě)入機(jī)關(guān)鍵尺寸一致性的提高.pdf

1、隨著半導(dǎo)體的制造技術(shù)的快速發(fā)展，線寬的縮小和圖形密度的增加，使得掩膜版制作越來(lái)越困難和復(fù)雜，整套光掩膜版的造價(jià)也越來(lái)越高?，F(xiàn)在掩膜版的制作面臨的不僅僅是技術(shù)上的挑戰(zhàn)，還有了制造成本的挑戰(zhàn)。激光束掩膜圖形寫(xiě)入機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是速度快，生產(chǎn)效率高，維護(hù)容易，使用成本相對(duì)于電子束掩膜版圖形寫(xiě)入機(jī)要低。近年來(lái)，激光束掩膜版圖形寫(xiě)入機(jī)生產(chǎn)的掩膜版的數(shù)量已經(jīng)超過(guò)了電子束掩膜版圖形寫(xiě)入機(jī)。隨著掩膜版上圖形的關(guān)鍵尺寸越來(lái)越小，圖形密度越來(lái)越大，對(duì)關(guān)鍵尺寸一致性

2、(CDUniformity)造成的影響也越來(lái)越大。激光束掩膜圖形寫(xiě)入機(jī)必須要解決圖形密度變化對(duì)CDUmformiw的影響，I-Line激光束光掩膜圖形寫(xiě)入機(jī)能使用的越久，把它推進(jìn)應(yīng)用更高節(jié)點(diǎn)的光掩膜制造上，對(duì)掩膜工廠降低掩膜版的成本有很重要的意義。 本文主要研究激光束光掩膜版圖形寫(xiě)入機(jī)對(duì)關(guān)鍵尺寸一致性的影響和如何提高激光束掩膜CDUniformity的方法。 本研究主要是基于應(yīng)用材料ALTA3900激光圖形寫(xiě)入機(jī)，采用T

3、okyoOhka(TOK)THMR—iP3500感光膠。并研究圖形寫(xiě)入后，曝光后烘烤(PostExposureBake)，顯影及刻蝕等各個(gè)工藝步驟對(duì)CD一致性的影響，實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)研究了各個(gè)工藝環(huán)節(jié)的優(yōu)化和改善CD一致性的問(wèn)題。 研究表明，對(duì)IP3500光刻膠和激光束圖形寫(xiě)入機(jī)，激光束的光學(xué)鄰近效應(yīng)對(duì)CDUniformity的影響，曝光后烘烤，顯影和刻蝕等工藝單元的優(yōu)化已經(jīng)不能滿足關(guān)鍵尺寸一致性的要求。本文重點(diǎn)研究了如何根據(jù)工藝條件，