ZnO納米棒陣列薄膜的制備及其在染料敏化太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用.pdf

1、綜合論述了染料敏化太陽(yáng)電池的研究與發(fā)展，歸納總結(jié)出染料敏化太陽(yáng)電池的優(yōu)勢(shì)以及研究過(guò)程中存在的問(wèn)題。綜合論述了量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)電池的研究與發(fā)展，歸納總結(jié)出量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)電池的優(yōu)勢(shì)以及研究過(guò)程中存在的問(wèn)題。綜合論述了ZnO納米材料的研究與發(fā)展，歸納總結(jié)出ZnO納米棒陣列薄膜作為染料敏化太陽(yáng)電池和量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)電池光陽(yáng)極的優(yōu)勢(shì)，以及ZnO納米棒陣列薄膜光陽(yáng)極研究過(guò)程中存在的問(wèn)題。
　　在兩步法制備ZnO納米棒陣列薄膜的實(shí)驗(yàn)中，系統(tǒng)地研究了

2、水熱法生長(zhǎng)ZnO納米棒陣列過(guò)程中反應(yīng)時(shí)間和反應(yīng)溶液濃度對(duì)ZnO納米棒陣列薄膜的形貌和長(zhǎng)徑比的影響規(guī)律。首先，通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在其他實(shí)驗(yàn)參數(shù)不變的條件下，反應(yīng)時(shí)間為8h時(shí)得到的ZnO納米棒陣列薄膜的質(zhì)量最好。其次，通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在其他實(shí)驗(yàn)參數(shù)不變的條件下，反應(yīng)溶液濃度為0.06M時(shí)得到的ZnO納米棒陣列薄膜的質(zhì)量最好。
　　在染料敏化太陽(yáng)電池的實(shí)驗(yàn)中，首先把不同反應(yīng)時(shí)間制備的ZnO納米棒陣列薄膜作為光陽(yáng)極組裝成染料敏化太陽(yáng)電池，系統(tǒng)地研究

3、了反應(yīng)時(shí)間對(duì)光電轉(zhuǎn)換效率的影響規(guī)律，通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)反應(yīng)時(shí)間為8h時(shí)制備出的ZnO納米棒陣列薄膜作為光陽(yáng)極組裝出的染料敏化太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率最高。其次，把不同溶液濃度制備的ZnO納米棒陣列薄膜作為光陽(yáng)極組裝成染料敏化太陽(yáng)電池，系統(tǒng)地研究了溶液濃度對(duì)光電轉(zhuǎn)換效率的影響規(guī)律，通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)濃度為0.06M時(shí)制備出的ZnO納米棒陣列薄膜作為光陽(yáng)極組裝出的染料敏化太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率最高。
　　在量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)電池的研究中，分別用未敏化的