碳納米管薄膜場(chǎng)致發(fā)射性能的研究.pdf

1、場(chǎng)發(fā)射顯示器(Field Emission Display，F(xiàn)ED)具有輕薄、功耗小、圖像質(zhì)量好等優(yōu)越性，被認(rèn)為是下一代理想的平板顯示器。碳納米管的發(fā)現(xiàn)，引起了全世界眾多科學(xué)家的關(guān)注，其優(yōu)異的電學(xué)、力學(xué)、磁學(xué)性能，可以在許多領(lǐng)域得到應(yīng)用。尤其它具有大的長(zhǎng)徑比，低功函數(shù)，良好的導(dǎo)電性和納米級(jí)尖端，使它能夠在較低的電壓下就能長(zhǎng)時(shí)間發(fā)射電子，因此被認(rèn)為是一種優(yōu)良的場(chǎng)發(fā)射陰極材料。
　　 隨著碳納米管的發(fā)現(xiàn)，基于絲網(wǎng)印刷技術(shù)的碳納米管場(chǎng)

2、致發(fā)射顯示器件成為目前平板顯示領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。器件性能提高的關(guān)鍵是碳納米管陰極場(chǎng)致發(fā)射特性的改善，而更基本的是開發(fā)滿足器件要求的可印制的碳納米管基冷陰極材料。器件實(shí)用化的關(guān)鍵則是提高大面積場(chǎng)致發(fā)射的均勻性和穩(wěn)定性。在總結(jié)場(chǎng)致發(fā)射技術(shù)進(jìn)展和大量前期實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上，本論文的研究工作主要是對(duì)碳納米管陰極薄膜進(jìn)行后處理，后處理可極大改善碳納米管薄膜的場(chǎng)發(fā)射性能。本文用氦等離子體燒蝕CNTs薄膜陰極，能增加碳納米管的缺陷，增加電子發(fā)射點(diǎn)數(shù)量，等離子