熱電材料組織和性能的研究.pdf

1、　　硅化物熱電材料因其熔點高，物理化學性能穩(wěn)定，抗氧化性好，無毒性，易于制備等優(yōu)點成為一類頗具應(yīng)用前景的熱電材料。過去硅化物摻雜的研究集中于替代金屬元素側(cè)，而對硅側(cè)置換研究很少。本文用B、Al、Ge三種元素對CoSi合金的硅側(cè)進行置換，研究了三種元素摻雜在CoSi化合物的固溶、析出行為和對熱電性能的影響。半導(dǎo)體Bi2Te3是一種已成功應(yīng)用于制冷領(lǐng)域的熱電材料，也一直是熱電領(lǐng)域研究的熱點。我們以Ag、Sb在Bi2Te3化合物中同時取代Bi

2、位置，期望在基體中能夠獲得納米尺度的富和貧Ag-Sb區(qū)，本文也報道了不同n值的AgBi2nSbTe3n+3化合物的微觀組織。采用熔融退火法制備了CoSi1-xBx(x=0，0.003，0.005，0.008，0.01，0.02)、CoSi1-yAly(y=0.05，0.1，0.2，0.3，0.5，0.6，0.7，0.8，0.9，1.0)和CoSi1-zGez(z=0.01，0.02，0.04，0.05，0.1)多晶試樣，用電子探針背散射