微波暗室及其自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)的可靠性研究.pdf

1、近年來(lái)，隨著無(wú)線通信應(yīng)用的日益廣泛，無(wú)線終端設(shè)備如手機(jī)的射頻性能測(cè)試技術(shù)也得到更多關(guān)注。手機(jī)射頻性能的測(cè)試主要包括增益、TRP(總輻射功率)、TIS(總?cè)蜢`敏度)等測(cè)試。這些測(cè)試離不開(kāi)微波暗室的使用。本論文主要包括微波暗室靜區(qū)的確立，測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)量不確定度評(píng)定以及TIS快速測(cè)試技術(shù)的研究三個(gè)部分。 微波暗室的電性能中，靜區(qū)反射電平是反映暗室性能好壞的最主要指標(biāo)之一。靜區(qū)的反射率電平越小，暗室本身引入的測(cè)試誤差越小，暗室的性能也

2、越好。因此，為了確保手機(jī)輻射性能測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試可靠性，本文首先使用幾何光學(xué)法和幾何繞射理論對(duì)測(cè)試場(chǎng)地的靜區(qū)性能進(jìn)行了仿真和實(shí)際測(cè)試，并確立出不同條件下的靜區(qū)范圍，確保被測(cè)手機(jī)處于靜區(qū)之內(nèi)。 在此基礎(chǔ)上，本文介紹了微波暗室中手機(jī)增益、TRP和TIS自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，分別重點(diǎn)討論了影響系統(tǒng)測(cè)量不確定的各種因素，并對(duì)主要影響因素如測(cè)試設(shè)備、連接失配和環(huán)境條件等進(jìn)行了定量計(jì)算。根據(jù)理論分析以及長(zhǎng)期的測(cè)試經(jīng)驗(yàn)對(duì)如何提高測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性提出了