關(guān)于改善藍(lán)光頂發(fā)射有機發(fā)光器件性能的研究.pdf

1、本文以改善頂發(fā)射器件的性能為目的，分別對陽極表面進(jìn)行了處理、輸出耦合層進(jìn)行了選擇、組合陰極厚度進(jìn)行了優(yōu)化。此外，我們利用微腔理論和轉(zhuǎn)移矩陣?yán)碚摲謩e對器件有機物總厚度、增透膜厚度及發(fā)光層位置進(jìn)行了設(shè)計，為進(jìn)一步改善器件的性能提供了可靠的理論和實驗依據(jù)。
　　 1、制作了頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件（TEOLED），分別對金屬陽極進(jìn)行了氧等離子處理和MoOx層，界面處理分析其對器件光電性能的影響。采用的器件結(jié)構(gòu)為glass/Ag(70nm

2、)/MoOx（X nm)or Ag2O/NPB(50 nm)/Alq3(50 nm)/Sm(5 nm)/Ag(25 nm)，當(dāng)蒸鍍MoOx厚度為3 nm時，器件的最大亮度達(dá)到6760 cd/m2，是氧等離子處理條件所得器件亮度（1205cd/m2）的5.6倍。最大電流效率也從0.59增加到1.77 cd/A。這為基于Ag做陽極的頂發(fā)射器件改善空穴注入能力提供了實驗基礎(chǔ)。
　　 2、使用常規(guī)有機層厚度（105 nm）制備了藍(lán)光TE

3、OLED，通過引入BCp光輸出耦合層，充分抑制了器件中多光束干涉效應(yīng)，有效地改善了半透明陰極的透光性能，獲得了藍(lán)光發(fā)射；首次提出利用寬角干涉改善藍(lán)光器件的色純度、亮度及電流效率等光輸出性能。
　　 綜合寬角干涉理論對發(fā)光層位置的優(yōu)化、轉(zhuǎn)移矩陣?yán)碚搶τ谠鐾改ず穸鹊膬?yōu)化以及載流子平衡等因素設(shè)計了光電性能良好的藍(lán)光器件。器件結(jié)構(gòu)為glass/Ag（70 nm)/MoOx（3nm)/m-MTDATA(25 nm)/NPB（X nm)/C

4、BP: Firpic（7 wt.%, 30 nm)/Bphen（Y nm)/Sm（4.5nm)/Ag（25 nm)/BCp(Z nm)。當(dāng)X 為10 nm、Y 為40 nm、Z 為35 nm 時，器件達(dá)到最大亮度8029 cd/m2，最大電流效率4.02 cd/A（25 mA/cm2），色坐標(biāo)位于(0.14, 0.35)附近。此外，我們通過對器件頂層加入一層偏振片改善了器件的對比度，使得器件在1000 cd/m2 開態(tài)亮度、140 lx