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文檔簡介
1、微波通信技術(shù)的迅猛發(fā)展要求微波介質(zhì)材料具有更優(yōu)異的介電性能。鉍基立方焦綠石結(jié)構(gòu)薄膜材料鈮酸鉍鎂Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7(BMN)具有介電調(diào)諧特性,其介電常數(shù)隨外加偏置電場的變化,利用這一性質(zhì)可制成薄膜介質(zhì)變?nèi)莨?,?yīng)用于各種微波壓控電路中。BMN薄膜為非鐵電材料,具有良好的溫度穩(wěn)定性,其介電損耗較低,并具有適中的介電常數(shù)值及較高介電調(diào)諧潛力,在微波領(lǐng)域有廣泛的發(fā)展前景。
本文通過磁控濺射法在Pt/Ti/Al2O3基片上
2、制備BMN薄膜,研究了基片溫度、濺射功率、濺射氣氛以及氣氛總壓對BMN薄膜的結(jié)構(gòu)、結(jié)晶情況、表面形貌以及介電性能的影響,優(yōu)化了BMN薄膜的制備工藝。并通過微細(xì)加工技術(shù)研制了BMN薄膜介質(zhì)變?nèi)莨埽芯苛薆MN薄膜的集成化工藝。研究的主要結(jié)果如下:
在500℃~700℃溫度范圍內(nèi)BMN薄膜的結(jié)晶情況及介電性能隨基片溫度的升高而提高;低濺射功率下制備的BMN薄膜耐壓特性較差,高濺射功率下薄膜的介電性能及耐壓特性較好;濺射氣氛氧氬比對
3、BMN薄膜的相結(jié)構(gòu)及結(jié)晶情況沒有明顯影響;高氣氛總壓有利于提高BMN薄膜的介電性能。通過分析優(yōu)化BMN薄膜的濺射制備工藝,制備了較高介電調(diào)諧率、低介電損耗的BMN薄膜。優(yōu)化的BMN薄膜制備工藝條件參數(shù)為:基片溫度675℃、250W濺射功率、濺射氣氛O2:Ar比為15:85、氣氛總壓為5Pa。制備出了介電常數(shù)值為119、介電損耗為0.008、介電調(diào)諧率為30%的BMN薄膜。
利用得到的優(yōu)化的BMN薄膜制備工藝條件參數(shù),通過微細(xì)加
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