Quantum Transport Modeling in Nano Transistors and Transistor Model Verification.pdf

1、在過(guò)去的十年中，微納電子的顯著進(jìn)步已經(jīng)使MOSFET的溝道長(zhǎng)度進(jìn)入到十納米量級(jí)。由于載流子輸運(yùn)的物理本質(zhì)特征偏離了傳統(tǒng)的輸運(yùn)方式，這一進(jìn)步對(duì)器件的仿真提出了新的挑戰(zhàn)。在器件和電路的性能中，準(zhǔn)彈道輸運(yùn)和量子現(xiàn)象的影響變得越來(lái)越重要。本論文研究的目的是分析準(zhǔn)彈道輸運(yùn)的物理本質(zhì)特性以及其對(duì)納米器件仿真的作用。論文研究的第一部分由三個(gè)組成;一是要理清器件描述中準(zhǔn)彈道輸運(yùn)的物理本質(zhì)并回顧器件在準(zhǔn)彈道體系下的輸運(yùn)模型;另一個(gè)是介紹MOSFET的勢(shì)壘

2、頂部的半經(jīng)典彈道輸運(yùn)模型;最后是利用非平衡格林函數(shù)模型和半經(jīng)典模型來(lái)探索短溝道納米晶體管的彈道輸運(yùn)過(guò)程。通過(guò)仿真各種形狀的DG MOSFET和短溝道納米晶體管，上述技術(shù)問(wèn)題都可以得到驗(yàn)證。本論文的仿真結(jié)果突出了不同形狀晶體管的彈道輸運(yùn)的重要特性。
　　在接下來(lái)的第二部分中，本論文提出了一種新的晶體管模型驗(yàn)證技術(shù)。這種技術(shù)可以幫助電路設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出高度集成度的數(shù)字CMOS電路并且其噪聲可以被控制。該方法也是一種合適的高準(zhǔn)確度晶體管模