金屬(銀,銅,鎳和鈷)納米線(xiàn)的制備及其生長(zhǎng)機(jī)理.pdf

1、金屬納米線(xiàn)由于具有奇特的電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)和熱學(xué)性能，在微電子、光電子、催化與傳感器等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景，使其成為近年來(lái)研究的熱點(diǎn)。合成金屬納米線(xiàn)的方法眾多，主要可分為軟模板法、硬模板法和無(wú)模板法，比較而言，硬模板法中利用多孔氧化鋁模板電化學(xué)沉積制備金屬納米線(xiàn)是比較常用的技術(shù)，各種金屬的單晶和多晶納米線(xiàn)都可以通過(guò)多孔氧化鋁模板法制備。然而，目前對(duì)金屬納米線(xiàn)的生長(zhǎng)機(jī)理的研究較少。本論文旨在探索利用多孔氧化鋁模板，在直流電化學(xué)沉積條件下制

2、備金屬納米線(xiàn)的方法，以及研究金屬納米線(xiàn)在較小孔徑的多孔氧化鋁模板內(nèi)生長(zhǎng)的機(jī)理。主要研究?jī)?nèi)容有：
　　 (1)多孔氧化鋁模板的制備及影響模板形成有序通道的因素。
　　 (2)利用多孔氧化鋁模板，直流電化學(xué)沉積制備金屬納米線(xiàn)。
　　 (3)討論電化學(xué)沉積條件對(duì)金屬納米線(xiàn)晶體生長(zhǎng)的影響。
　　 (4)利用金屬納米線(xiàn)陣列，經(jīng)過(guò)高溫氧化，制備金屬氧化物納米線(xiàn)陣列。
　　 (5)研究金屬納米線(xiàn)擇優(yōu)(220)晶