典型元器件在高溫環(huán)境下參數(shù)變化機理研究.pdf

1、過高的溫度是電子設(shè)備可靠性不良的主要原因，在高溫環(huán)境下仍然能正常運行的電子產(chǎn)品的研制開發(fā)被視為這個世紀(jì)的關(guān)鍵技術(shù)之一。因此，研究典型電子元件在高溫工作條件下有效的試驗方法和動態(tài)參數(shù)測試方法，通過在線測試研究電子元件在高溫環(huán)境力作用下的電性能參數(shù)變化規(guī)律，并結(jié)合有限元仿真，分析典型電子元件潛在的失效機理，進而提出相應(yīng)的預(yù)防措施，對保證電子產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下高可靠性要求的實現(xiàn)有著重要意義。
　　本文選擇了高溫應(yīng)力場作為電子元器件研究環(huán)境

2、，通過對其特性進行分析，確定以步進應(yīng)力試驗為試驗方法進行研究。對于電子元器件在應(yīng)力場作用下的主要特征參數(shù)變化，設(shè)計相應(yīng)的測試電路來進行測量。通過對測試電路的仿真分析，對測試電路進行驗證和優(yōu)化設(shè)計。
　　對金屬膜電阻、片式電阻、鉭電容、片式電容等典型電子元件在高溫環(huán)境條件的特征參數(shù)進行了試驗，獲得了典型軍用電子元件高溫實驗數(shù)據(jù)。
　　基于高溫試驗結(jié)果，對典型軍用電子元件在高溫條件下的參數(shù)變化規(guī)律和原因進行了分析，對其溫度特性進