新型GaAs-AlGaAs量子阱紅外探測器電子輸運特性分析.pdf

1、GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器(QWIPs)是近二十年來迅速發(fā)展起來的一種新型紅外探測器,它利用GaAs和AlxGa1-xAs形成的勢阱的子帶間吸收機制,由于能帶結(jié)構(gòu)可精確設計從而能獲得指定的光譜響應,加之成熟的生長工藝和器件工藝,使得GaAs/AlGaAs QWIPs尤其適合制作8-14um長波范圍的大面陣探測器。
　　 針對常規(guī)GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器存在的光電流小、暗電流大、響應速度低等問題,我們提出

2、了新型光電流逐級增強GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測機制。本文從理論上對新結(jié)構(gòu)進行了仔細的分析,論文的主要內(nèi)容概況如下:
　　 1.介紹了紅外探測器的發(fā)展歷程和GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器的國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,簡單陳述了紅外探測器的應用和常規(guī)GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器存在的不足之處。
　　 2.利用MBE外延生長樣品,利用PL譜測量得出結(jié)果來反映外延生長的質(zhì)量,經(jīng)過一系列的工藝加工成器件,通過測試系

3、統(tǒng)測量出樣品的噪聲電壓、信號電壓、探測率、光響應譜。
　　 3.對新型GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器的工作機制及其優(yōu)越性進行了仔細的分析,計算和模擬出器件的最佳外加偏置周期電壓和量子阱中的能級隨器件結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化。
　　 4.對常規(guī)GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器的暗電流產(chǎn)生機理進行了分析,介紹了計算暗電流的模型,同時對新型結(jié)構(gòu)GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測器的暗電流進行了分析計算,指出器件結(jié)構(gòu)參數(shù)對