工業(yè)X-CT用新型X射線探測(cè)器性能的模擬研究.pdf

1、本文詳細(xì)研究了國(guó)內(nèi)外工業(yè)X-CT中探測(cè)器的設(shè)計(jì)方案,對(duì)X射線管為射線源,基于CsI(T1)閃爍體和面陣CCD(Charge Coupled Device)器件,采用光纖和光纖面板進(jìn)行光耦合及傳輸,以扇形束線陣掃描方式實(shí)現(xiàn)對(duì)X射線探測(cè)的探測(cè)器方案的性能指標(biāo),從理論上分析該方案的合理性.為此,論文建立了新型探測(cè)器的物理數(shù)學(xué)模型,并采用Monte Carlo方法進(jìn)行模擬研究.Monte Carlo模擬條件是:考慮到目前國(guó)內(nèi)外最常用的中、低能X

2、射線源(450keV以下),并對(duì)CsI(T1)為主的單個(gè)閃爍體與光纖耦合至面陣CCD器件,且源-探距L≤1.5m組成的探測(cè)器系統(tǒng)進(jìn)行了模擬研究.模擬計(jì)算結(jié)果表明:探測(cè)器到X射線源的距離(1.5m以內(nèi))對(duì)探測(cè)器性能的影響不大,故根據(jù)被測(cè)試件的大小可以適當(dāng)?shù)馗淖僗射線源到探測(cè)器的距離.圓柱形晶體的直徑不變,則長(zhǎng)度越大(1.5cm內(nèi))全能峰效率和轉(zhuǎn)換效率就越高.在晶體長(zhǎng)度為1.5cm時(shí)、探測(cè)器接收到能量為220keVX射線的全能峰效率高達(dá)79