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文檔簡介
1、 本論文從實驗上對PbZr0.3Ti0.7O3[PZT(30/70)]和PZFNT[Pb(Zr0.58Fe0.2Nb0.2Ti.02)O3]薄膜的制備工藝、微結(jié)構(gòu)以及性能進(jìn)行了系統(tǒng)的研究?! 〔捎蒙漕l磁控濺射法在5英寸的Pt/Ti/SiO2/Si基片上制備了PZT薄膜,并對薄膜進(jìn)行快速退火處理。通過AFM和XRD的分析以及性能測試,結(jié)果表明:所制備的薄膜具有良好的介電、鐵電和熱釋電性能。同時還得到了薄膜制備工藝參數(shù)對薄膜微結(jié)構(gòu)和性能
2、影響的一些規(guī)律。 此外,還采用RF磁控濺射法在5英寸的Pt/Ti/SiO2/Si和PZT/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制備了PZFNT薄膜,后處理采用快速退火工藝。對兩種薄膜進(jìn)行了分析,實驗結(jié)果表明,采用PZT緩沖層可明顯降低PZFNT薄膜的結(jié)晶溫度,并對PZFNT薄膜的性能有顯著的影響,使其介電和鐵電性能得到提高。在優(yōu)化工藝條件下,可獲得熱釋電系數(shù)為6.4×10-9C/cm2K,介電常數(shù)和損耗分別為1328和3.1﹪,剩余極化
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