元素半導(dǎo)體硅和鍺材料的熔體結(jié)構(gòu)研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩56頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、元素半導(dǎo)體硅鍺材料尤其是硅材料是當今半導(dǎo)體行業(yè)中的重要微電子和光電子材料,研究其熔體的微觀結(jié)構(gòu)對控制單晶的生長過程有著重要的指導(dǎo)意義,此外,液態(tài)結(jié)構(gòu)的研究也是凝聚態(tài)物理領(lǐng)域的一個重要分支,這一研究相對較為落后,因此對其研究也有著重要的理論價值。
   本文采用高溫X射線衍射儀對元素半導(dǎo)體硅材料在熔點附近(1683K-1743K)的結(jié)構(gòu)進行分析,并結(jié)合分子動力學(xué)模擬對這一數(shù)據(jù)進行補充,得出其結(jié)構(gòu)因子、雙體分布函數(shù)及徑向分布函數(shù)隨溫

2、度變化的關(guān)系,探討了Si 熔體的微觀結(jié)構(gòu);同時使用分子動力學(xué)模擬研究了元素半導(dǎo)體Ge 熔體的微觀結(jié)構(gòu)。
   對硅熔體的實驗測量與其模擬結(jié)果較為接近,其微觀結(jié)構(gòu)參數(shù)分別為:硅熔體的最近鄰原子間距為0.245nm、第一配位面配位數(shù)為6.5、相干半徑為0.92nm、團簇平均原子個數(shù)為147個,結(jié)構(gòu)參數(shù)在熔點附近隨溫度的變化不大。
   徑向分布函數(shù)的Gauss分解結(jié)果表明熔體中含有共價鍵,比例約占27[%]。結(jié)構(gòu)因子第一峰三

3、峰擬合結(jié)果表明熔體中含有正四面體結(jié)構(gòu)。均方位移和速度自相關(guān)函數(shù)的計算結(jié)果表明,熔體中的原子在在熔化溫度處的自擴散系數(shù)為6×10-4 cm 2 /s,隨著溫度的進一步升高,自擴散系數(shù)略有增加。VP分析及鍵角分布分析結(jié)果表明,熔體中的有序原子集團主要形成正四面體及簡單立方結(jié)構(gòu),少數(shù)原子形成其它復(fù)雜無序結(jié)構(gòu)。
   對鍺熔體的分子動力學(xué)模擬計算結(jié)果表明:鍺熔體的最近鄰原子間距為0.26nm、第一配位面配位數(shù)為5.04、相干半徑為0.8

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論