減反膜外腔半導體激光器特性的研究.pdf

1、1962年世界上第一臺半導體激光器問世。經(jīng)過幾十年來的研究，半導體激光器得到了驚人的發(fā)展，波長從紅外、紅光到藍綠光，覆蓋范圍逐漸擴大，各項性能參數(shù)也得到了很大的提高。半導體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單、便于直接調(diào)制等優(yōu)點，其應用領域日益擴大。
　　半導體激光器有兩個顯著缺點:輻射光具有很大的發(fā)散性并具有較寬的譜寬，通過透鏡可以對激光輸出光束進行準直。外腔半導體激光器的發(fā)展大大改善了半導體激光器的性能。隨著性能的提高，

2、半導體激光器已經(jīng)廣泛地應用于光學技術、原子物理以及精密測量等許多領域。目前，固定波長半導體激光器的使用數(shù)量居各類激光器之首，某些重要應用領域過去常用的其他類激光器，已逐漸為半導體激光器所取代。盡管如此，在光頻標、高分辨率光譜以及基礎物理研究中需要超穩(wěn)定（窄線寬）的激光光源，因而半導體激光器的特性也需要進一步提高。
　　基于半導體激光器的廣泛應用及發(fā)展需求，特別是本實驗室在冷原子物理和腔量子電動力學研究方面的要求，本文利用外腔技術與

3、減反膜技術相結(jié)合改善半導體激光器的性能，并對自制減反膜外腔半導體激光器的性能進行全面的研究與分析，包括線寬特性、噪聲特性以及調(diào)諧特性。在實驗上獲得了成本低、閾值低（高效率）、輸出功率穩(wěn)定、線寬窄、噪聲低以及調(diào)諧范圍大的半導體激光光源。雖然與鈦寶石激光器相比較，半導體激光器在其輸出質(zhì)量上還存在著一定的差距，但在原子操控與激光光譜研究中，這樣的激光光源已經(jīng)能夠滿足許多實驗的需求。這類激光器在許多情況下為取代鈦寶石激光器提供了可能。該研究對于