固相燒結(jié)多孔SiC的制備、結(jié)構(gòu)、光致發(fā)光和電阻率.pdf

1、作為一種有潛在吸引力的材料，多孔SiC(PSC)可以用來(lái)制備紫外發(fā)光二極管、靈敏光探測(cè)器、碳?xì)錃怏w探測(cè)器和新穎的外延材料，目前被廣泛研究。引起大家感興趣的一個(gè)原因就是PSC比晶體SiC有更高的發(fā)光強(qiáng)度。本文采用粉末冶金和陶瓷工業(yè)中常用的固相燒結(jié)方法制備PSC，并測(cè)試了其光致發(fā)光譜(PL)和電阻率。PSC的制備過(guò)程包括粉末的凈化、壓坯的壓制、燒結(jié)過(guò)程和樣品的后處理。壓坯在500到1000MPa的壓力下壓制成型。在1.0atm的Ar氣保護(hù)下

2、進(jìn)行燒結(jié)，選用的燒結(jié)時(shí)間從3小時(shí)到10小時(shí)，燒結(jié)溫度由1600℃到1900℃。燒結(jié)后，用于氧法在氧化爐中氧化并研磨或直接研磨的方法去除樣品表面過(guò)量的碳。使用SEM，XPS和XRD對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和組成進(jìn)行分析。結(jié)果顯示樣品已經(jīng)形成了μm級(jí)連通孔洞的多孔組織，其主要成分是6H-SiC，3C-SiC和少量的CSi。用He-Cd激光器(325nm，10mW)對(duì)樣品的光致發(fā)光進(jìn)行了測(cè)試。未經(jīng)氧化研磨或研磨的樣品在室溫下有較高的發(fā)光強(qiáng)度，發(fā)光主峰位于