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文檔簡介
1、本文制備了新型復(fù)合膜修飾玻碳電極HPM?FP/Ppy/GCE(HPM?FP:1-苯基-3-甲基-4-呋喃甲酰基-5-吡唑啉酮,Ppy:聚吡咯,GCE:玻碳電極)。通過循環(huán)伏安法和脈沖伏安法系統(tǒng)研究了新電極對酚磺乙胺(ETH)、胸腺嘧啶(THY)和氧氟沙星(OFL)等生物和藥物分子的電化學(xué)行為與電極反應(yīng)機(jī)理。
酚磺乙胺在 HPM?FP/Ppy/GC電極上的電化學(xué)行為表明,與裸 GCE和Ppy/GCE相比,HPM?FP/Ppy/G
2、C修飾電極能顯著提高ETH的峰電流,對酚磺乙胺有良好的催化作用。聚吡咯與?;吝蜻a(chǎn)生了協(xié)同增效作用。在最佳實(shí)驗(yàn)條件下,該修飾電極測試ETH的CV曲線于0.35 V和0.4 V出現(xiàn)一對靈敏的氧化還原峰,峰電位差△Ep較裸玻碳電極降低510 mV,比Ppy修飾電極降低100 mV,峰電流顯著增加,氧化峰電流與ETH濃度于2.0×10-6~1.0×10-4mol/L范圍內(nèi)呈現(xiàn)良好的線性關(guān)系,最低檢出限為6.0×10-7mol/L。該實(shí)驗(yàn)方
3、法成功用于檢測藥物中ETH的含量,回收率和相對標(biāo)準(zhǔn)偏差令人滿意。
討論了胸腺嘧啶和氧氟沙星分別在HPM?FP/Ppy/GC修飾電極上的電化學(xué)行為。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,與裸玻碳電極相比,HPM?FP/Ppy/GC電極能顯著提高THY和OFL的氧化峰電流,降低過電位。并且在最優(yōu)化條件下,氧化峰電流與 THY和OFL濃度在2×10-6~1×10-4mol/L和1×10-6~1×10-4mol/L之間呈現(xiàn)良好的線性關(guān)系,檢出限分別為4.85
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