基于GaN單片微波集成功率放大器設計.pdf

1、GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)以其輸出功率密度大、工作電壓高和輸出阻抗高等特點，在微波通信、雷達等領域有著廣泛的應用前景。基于GaN的單片微波集成電路(MMIC)具有高工作電壓、高輸出功率、頻帶寬、損耗小、效率高、體積小、抗輻照等特點，已成為當前發(fā)展各種高科技武器的重要支柱，并廣泛的用于軍事和商業(yè)。但我國的MMIC產(chǎn)業(yè)與發(fā)達國家相比起步較晚，與國外的技術水平的差距比較大。在這種背景下我們對GaN單片微波集成功率放大器進行了研究。<

2、br>　　 本論文基于單片微波集成功率放大器的設計原理，將GaN HEMT大信號模型內(nèi)嵌到ADS軟件系統(tǒng)，通過集總元件對器件進行L型匹配，建立GaN MMIC電路。在設計過程中，使用HFSS軟件對集總元件進行電磁仿真，詳細的分析了2DEG對集總元件的影響，并對器件結構進行優(yōu)化。在優(yōu)化好器件結構的基礎之上對無源元件的大小、布局、走線進行仿真，導出其S參數(shù)，以s2p文件形式帶入ADS中，進行系統(tǒng)的仿真和優(yōu)化。在ADS的仿真中，為了減小無源