集成電路互連噪聲檢測及其應(yīng)用.pdf

1、隨著電子器件向深亞微米量級發(fā)展，超大規(guī)模集成電路互連線截面積越來越小，其承受的電流密度急劇增加，電遷移引發(fā)的失效越來越顯著，引起人們極大關(guān)注。
　　 本文在介紹金屬互連導(dǎo)電機理，噪聲產(chǎn)生物理機制研究的基礎(chǔ)上，概述了金屬互連的噪聲測試方法，完成了平衡電橋測試系統(tǒng)的改進(jìn)以及低阻金屬互連樣品噪聲的測量，通過與傳統(tǒng)測試系統(tǒng)實測結(jié)果對比，新系統(tǒng)在可檢測最小信號、信號檢測精準(zhǔn)度及信號各頻段放大一致性等方面表現(xiàn)優(yōu)異，更適用于低阻金屬互連樣品的

2、噪聲檢測。重點研究了金屬互連晶粒/晶界的電阻和噪聲模型。針對多晶材料晶界存在高斯勢壘的特點，基于晶界的隧穿導(dǎo)電機制和晶粒的擴散漂移導(dǎo)電機制，建立了金屬互連晶界/晶粒的電阻率模型。詳細(xì)研究了晶粒/晶界低頻噪聲種類及產(chǎn)生機理，建立了基于擴散漂移機制的晶粒噪聲模型以及基于隧穿機制的晶界噪聲模型。根據(jù)上述理論及晶粒/晶界的噪聲模型，分析了各自模型中相關(guān)參量對噪聲變化的影響。在較小的偏置電壓下，晶界噪聲不隨偏置電壓的變化而變化，而晶粒噪聲則隨偏置