Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體三元含磷化合物的MBE生長與拉曼光譜研究.pdf

1、本文以“III-V族半導(dǎo)體三元含磷化合物的MBE生長與拉曼光譜研究”為研究方向，調(diào)研和探討了含磷化合物半導(dǎo)體器件的研究進(jìn)展與應(yīng)用。通過研究工藝參數(shù)等對(duì)InGaP/CraAs及InGotAs/InP異質(zhì)外延的晶格匹配生長及表面形貌變化的影響，實(shí)現(xiàn)了材料的MBE優(yōu)化生長。利用拉曼光譜技術(shù)，對(duì)InGaP/CaAs及InCaAs/InP材料的穿透深度、內(nèi)應(yīng)力和有序度等進(jìn)行了深入研究。主要研究內(nèi)容及結(jié)果如下：
　　 ⑴采用MBE技術(shù)制備出

2、III-V族含磷三元化合物半導(dǎo)體外延材料，分析和討論了生長溫度、In/Ga比、V/III比等參數(shù)對(duì)材料失配度和表面形貌等相互影響的關(guān)系。得到InGaP/GaAs優(yōu)化的生長條件為：生長溫度為480℃，In/Ga束流比為1.57：1，V/III束流比為9：1。InCaAs/InP外延層的優(yōu)化生長條件為：生長溫度為460℃，In/Ga束流比為2.03：1，V/III束流比為9：1。
　　 ⑵兩種實(shí)驗(yàn)材料體系具有不同的拉曼穿透深度。對(duì)I

3、nGaAs/InP完全匹配材料體系(In組分約為53％)，波長為514nm和632nm激發(fā)光對(duì)外延層的穿透深度分別為80nm和208nm，無法穿透厚度在300～400nm之間的實(shí)驗(yàn)樣品外延層。對(duì)于InGaP/GaAs完全匹配材料體系(In組分約49％)，波長514nm和632nm的激發(fā)光都會(huì)穿透厚度在130nm～160nm之間的樣品外延層達(dá)到襯底。
　　 ⑶通過對(duì)InGaP/GaAs和InGaAs/IIIP材料的拉曼光譜研究，發(fā)