鋅錫氧化物透明導電膜的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文中,首次采用射頻磁控濺射在有機襯底PI上成功地制備出SnO<,2>:Sb透明導電膜.研究了濺射功率、濺射氣體壓強以及濺射氣體中氧氣的分壓比例等工藝參數(shù)對制備膜的結構和光電性能的影響.研究了襯底溫度對薄膜結構和光電性質的影響.隨著襯底溫度的升高,薄膜的晶粒變大,薄膜的遷移率和載流子濃度增大,電阻率下降,可見光透過率提高.當襯底溫度高于200℃后,過高的溫度會損害襯底,導致薄膜性能的下降,因此PI襯底溫度控制在200℃以下.首次采用射

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