高性能MISiC高溫氣體傳感器及其應用研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文分析了MISiC SBD氣體傳感器的響應機理，將SBD熱電子發(fā)射理論和氫吸附-解吸理論相結合，通過考慮勢壘高度調制效應以及理想因子隨外界條件的變化，建立了MISiC SBD氣體傳感器物理模型，通過建立的物理模型，對器件結構、工藝參數(shù)進行了優(yōu)化設計，確定最佳絕緣層厚度為2-2.8 nm，為實用化提供了理論依據(jù)。在國際上首次將N2O氧化工藝用于MISiC高溫氣體傳感器的制備。實驗結果表明，N2O直接氧化所制備的超薄絕緣層能夠改善界面特

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