適用于大電流的SiGe HBT頻率特性的解析模型.pdf_第1頁(yè)
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1、該文對(duì)n<'+>pn<'->n<'+>型SiGe基區(qū)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)在大電流下的頻率特性進(jìn)行了研究.建立了將Ge引入到集電區(qū)后異質(zhì)結(jié)勢(shì)壘效應(yīng)(HBE)的一維解析物理模型.并在此模型基礎(chǔ)上對(duì)電子在基區(qū)中的渡越時(shí)間、HBT的電流增益和截止頻率等進(jìn)行了計(jì)算.結(jié)果發(fā)現(xiàn),隨著Ge引入到集電區(qū),異質(zhì)結(jié)勢(shì)壘效應(yīng)只有在較高的集電極電流下才會(huì)發(fā)生,而且產(chǎn)生異質(zhì)結(jié)勢(shì)壘的臨界電流密度隨Ge進(jìn)入集電區(qū)深度的增大而增大.結(jié)果,與集電區(qū)中不含Ge的情況相

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