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1、研究了射頻磁控濺射法制備BST薄膜的動(dòng)力模型,根據(jù)等離子體動(dòng)力學(xué)推導(dǎo)出了離子的運(yùn)動(dòng)方程,從而指出了前驅(qū)體(靶材)的被濺射情況.在控制了靶的變形和SrO的揮發(fā)等問題的基礎(chǔ)上,制備出了符合化學(xué)計(jì)量比,且其均勻性和致密度較好,符合射頻磁控濺射實(shí)際要求的(Ba<,0.67>Sr<,0.33>)TiO<,3>鐵電陶瓷靶.利用X光衍射(XRD)技術(shù)分析了不同襯底溫度、不同退火條件和不同濺射時(shí)間(BST薄膜厚度)對(duì)BST薄膜的晶體結(jié)構(gòu)的影響.應(yīng)用掃描
2、電子顯微鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)技術(shù),分析了優(yōu)化濺射工藝條件下制備的BST薄膜的表面形貌.根據(jù)熱力學(xué)分析論證,確定了所研究硅微橋結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)問題為傅里葉導(dǎo)熱問題,其數(shù)學(xué)模型為基于微分法和熱力學(xué)第一定律的微分方程.由不同的硅微橋三維實(shí)體模型給出了其二維等效模型;并推導(dǎo)了二維模型導(dǎo)熱微分方程及確定了各種參數(shù).最后由數(shù)值模擬結(jié)果和分析表明:選用SiO<,2>作橋面,采用四支撐腳結(jié)構(gòu)對(duì)絕熱性能有較大的提高;但進(jìn)一步采用兩支撐腳結(jié)構(gòu)卻沒
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