納電子器件諧振隧穿二極管（RTD）的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文介紹了一種納米電子器件：諧振隧穿二極管（RTD）,這是一種新型GaAs襯底二端口器件,具有高速和雙穩(wěn)態(tài)兩大特性.納電子器件RTD利用了新的諧振隧穿傳輸機(jī)理,使器件的開關(guān)速度達(dá)到幾個ps,它具有速度快,功耗低,完成特定功能減少電路的復(fù)雜性等特點.在傳統(tǒng)CMOS器件逐步趨近于尺寸限制之際,包括RTD等的納電子器件將越來越顯示出其重要性.該文詳細(xì)介紹了諧振隧穿二極管的工作原理及其設(shè)計.我們在理論上對雙壘單阱結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,詳細(xì)討論了超晶格

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