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1、為了揭示Mg摻雜影響ZnO帶隙的物理機(jī)制及高壓對(duì)ZnO微結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)和發(fā)光性質(zhì)的影響機(jī)理，本論文采用MaterialsStudio計(jì)算軟件中的CASTEP模塊，用超原胞方法，在LDA近似下，采用平面波基組和超軟贗勢(shì)，對(duì)不同摻雜濃度下的MgZnO晶體的幾何結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，得到Mg摻雜對(duì)ZnO晶體微結(jié)構(gòu)的影響，進(jìn)而計(jì)算MgZnO的電子結(jié)構(gòu)，研究了導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂?shù)囊苿?dòng)情況。結(jié)果表明，Mg的摻入導(dǎo)致其周圍的原子產(chǎn)生較大的弛豫，同時(shí)ZnO的導(dǎo)帶底
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