GaN材料為基礎(chǔ)的紫外光檢測(cè)器件的研究.pdf

1、紫外光檢測(cè)器件是許多民用和軍用設(shè)備中的關(guān)鍵部件,比如在紫外天文學(xué),傳感器,污染監(jiān)測(cè)和導(dǎo)彈警報(bào)系統(tǒng)等.日前以Si為基礎(chǔ)的器件已被子廣泛應(yīng)用,但是由于這種材料特性不是非常適應(yīng)適宜,所以器件效率較低,使用壽命較短并且噪聲較高.而以GaN材料為基礎(chǔ)的器件由于具有較寬的直接帶寬,低暗電流和材料堅(jiān)固等優(yōu)勢(shì),被應(yīng)用于UV光檢測(cè)器的開發(fā)中,低于280nm的波長(zhǎng),被認(rèn)定是日光在地球大氣層內(nèi)影響為0的區(qū)域.280nm也被定義為是日光的邊緣.在GaN材料中加

2、入更多的Al成分,可使截?cái)嗖ㄩL(zhǎng)從365nm減少至200nm.這樣,研究人員就不需要使用任何減少少能夠的濾光器就可得到真正對(duì)日光不敏感的檢測(cè)器.研究人員制作出了Al組分X在0,0.50,0.70時(shí)的p-i-nAl<,x>Ga<,1-x>N光電二極管,它們的截?cái)嗖ㄩL(zhǎng)分別大約為365nm,270nm和230nm.某些特性,如漏電流、噪聲等可歸結(jié)為受材料所限制,尤其是耗盡層中的缺陷所造成的.所以說材料在器件的性能上有至關(guān)重要的作用.另外,研究人