版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、近年來,氧化鋅(ZnO)成為繼氮化鎵(GaN)之后,受到廣泛研究的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其在紫外發(fā)光二極管器件和激光器等方面有良好的應(yīng)用前景。高性能的器件取決于高質(zhì)量的ZnO薄膜材料。所以生長高質(zhì)量的ZnO單晶薄膜具有重要的意義。
本論文利用分子束外延(MBE)在藍(lán)寶石上生長ZnO薄膜,通過引入單層MgO緩沖層,單層ZnO緩沖層及多層緩沖層,改變生長溫度等,探討提高ZnO薄膜質(zhì)量的方法。分析MgO緩沖層生長在藍(lán)寶石上的形貌結(jié)構(gòu)特性
2、,發(fā)現(xiàn)低溫生長MgO緩沖層成六角形狀。研究MgO緩沖層厚度對ZnO薄膜質(zhì)量的影響,發(fā)現(xiàn)較薄的MgO緩沖層更有利于ZnO薄膜質(zhì)量提高。比較同質(zhì)緩沖層和異質(zhì)緩沖層對ZnO薄膜質(zhì)量的影響,發(fā)現(xiàn)引入MgO緩沖層的樣品有更窄的XRD半高寬和近帶邊發(fā)射半高寬,引入變溫緩沖層的樣品有更強(qiáng)的光發(fā)射強(qiáng)度??紤]上述兩種因素,采用多層緩沖層對ZnO薄膜做進(jìn)一步的優(yōu)化。實(shí)驗(yàn)證明ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)通過優(yōu)化多層緩沖層可以得到很大的提高,或者提高薄膜生長溫度
3、可以獲得更好的晶體質(zhì)量。然而,在低溫緩沖層或者簡單的結(jié)構(gòu)上生長的ZnO樣品常常存在較大的應(yīng)力。另外,在PL測試上觀察到先藍(lán)移后紅移的現(xiàn)象。這可能跟Burstein-Moss shift和熱效應(yīng)有關(guān)。越大的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致更大的藍(lán)移。這些現(xiàn)象暗示著可以通過高溫生長緩沖層獲得更高質(zhì)量的ZnO薄膜。
本論文還探討了在藍(lán)寶石上以MOCVD方法制備的GaN作為基底來生長ZnO的方法。首先在GaN基底上生長了不同厚度的ZnO,通過RHEED、A
4、FM、XRD、PL等測試,發(fā)現(xiàn)厚度為0.3、0.9、4.0nm的ZnO薄膜跟GaN基底是共格生長,形成有原子臺(tái)階的平整表面。隨著生長時(shí)間的增長,當(dāng)生長厚度達(dá)到20nm時(shí),表面開始進(jìn)行弛豫,形成ZnO的三維生長,類似緩沖層的生長,表面粗糙度有所上升。厚度120nm的ZnO薄膜RHEED圖樣銳利且明亮、表面平整、晶格有序。厚度為240nm的薄膜,表面開始粗糙化,形成小顆粒的表面。所有樣品都是c軸擇優(yōu)取向的薄膜。隨著時(shí)間的生長,晶體的晶格常數(shù)
5、發(fā)生變化,120nm厚的薄膜晶格常數(shù)增大,240nm厚的樣品晶格常數(shù)又減小,但是晶格常數(shù)總體比塊體材料小。這和薄膜與基底的壓應(yīng)力及拉應(yīng)力相關(guān)。為了觀察光學(xué)性質(zhì)的變化,進(jìn)行了PL測試。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),厚度為120nm的薄膜出現(xiàn)了ZnO的束縛激子紫外發(fā)光峰,而在240nm厚的樣品中,不僅出現(xiàn)了紫外發(fā)光峰,還有一個(gè)與缺陷相關(guān)的650nm附近的發(fā)光峰。XPS的測試可以看出,在GaN基底上生長ZnO初期容易形成Ga2O3,并且隨著厚度的增長,O容易吸附
6、在薄膜表面,形成富O狀態(tài),生長過程中Zn原子和O原子結(jié)合,按照化學(xué)計(jì)量比形成Zn-O鍵??梢园l(fā)現(xiàn)在GaN基底上生長120nmZnO薄膜的時(shí)候,其形貌和光學(xué)性質(zhì)都得到比較大的提高,這很可能是因?yàn)槌跗谏L薄膜相當(dāng)于是緩沖層的生長,使得薄膜性質(zhì)得到進(jìn)一步的提高。
在GaN基底上先生長不同厚度的ZnO緩沖層(2nm、10nm、20nm),然后再生長240nm的N摻雜ZnO薄膜,記做GaN/ZnO(2nm)/ZnO∶N,GaN/ZnO(
7、10nm)/ZnO∶N和GaN/ZnO(20nm)/ZnO∶N,通過RHEED、AFM、XRD、PL等測試,發(fā)現(xiàn)GaN/ZnO(10nm)/ZnO∶N生長過程中更容易引入N間隙位,使得表面緊致,平整,引入應(yīng)力缺陷,使得晶格常數(shù)變化最大,光學(xué)性質(zhì)變差。GaN/ZnO(2nm)/ZnO∶N的表面比GaN/ZnO(20nm)/ZnO∶N平整,但是結(jié)構(gòu)弛豫沒有后者好,晶格常數(shù)變得較大,光學(xué)質(zhì)量比后者稍差。GaN/ZnO(20nm)/ZnO∶N的
8、表面較粗糙但是晶體質(zhì)量較好,且光學(xué)性質(zhì)也較好。為了繼續(xù)提高ZnO薄膜的性質(zhì),通過在兩層ZnO薄膜生長中間,引入10s的N、Zn-N共摻和Mg-N共摻等方法來優(yōu)化樣品結(jié)構(gòu),結(jié)果表明薄膜形貌和光學(xué)質(zhì)量都得到了進(jìn)一步地提高。GaN/ZnO/N2/ZnO和GaN/ZnO/Mg-N2/ZnO的RHEED衍射條紋銳利、表面平坦、結(jié)晶質(zhì)量良好,但是光學(xué)特性不是那么理想。反而是GaN/ZnO/Zn-N2/ZnO的RHEED衍射和AFM掃描顯示表面很粗糙
9、,而且沿著[1100]方向的晶格常數(shù)a變大,GIXRD掃描表明沿著c方向的晶格常數(shù)也變大,室溫PL譜顯示光學(xué)質(zhì)量反而得到較大地提高。為了進(jìn)一步提高光學(xué)質(zhì)量,引入多層N處理。GaN/ZnO/3×[N2/ZnO(40nm)]樣品三次引入N處理,使得樣品受N影響的程度增大,表面粗化,光學(xué)質(zhì)量比引入一次N的樣品稍好。而引入2次N處理的GaN/ZnO/2×[N2/ZnO(60nm)]樣品,雖然表面粗糙,晶格常數(shù)變大最明顯,N間隙的影響比引入3次N
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 藍(lán)寶石襯底上AlN薄膜和GaN、InGaN量子點(diǎn)的MOCVD生長研究.pdf
- 藍(lán)寶石襯底MOCVD橫向外延過生長GaN薄膜的研究.pdf
- 藍(lán)寶石襯底上氧化鎵薄膜的生長與退火研究.pdf
- 藍(lán)寶石和石英襯底上(Ga,Mn)N薄膜的生長和特性研究.pdf
- MgO(111)襯底上ZnO薄膜的生長和性能.pdf
- 藍(lán)寶石襯底上增透膜
- 藍(lán)寶石襯底上制備Tl-2212薄膜.pdf
- 藍(lán)寶石襯底上N面GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料研究.pdf
- 藍(lán)寶石襯底上SiO-,2-薄膜的制備工藝與性能研究.pdf
- p-Si襯底上生長ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和性能.pdf
- 柔性襯底上ZnO基透明導(dǎo)電薄膜的生長和性能研究.pdf
- 藍(lán)寶石襯底與GaN外延層中缺陷與雜質(zhì)的研究.pdf
- 藍(lán)寶石和LSAT襯底上氧化鈦薄膜的制備及性質(zhì)研究.pdf
- 藍(lán)寶石襯底上以AlaN-GaN材料為基礎(chǔ)的ACT器件的設(shè)計(jì).pdf
- ZnO薄膜在不同襯底上的生長及其應(yīng)用.pdf
- 藍(lán)寶石基GaN薄膜應(yīng)力的數(shù)值模擬研究.pdf
- 藍(lán)寶石襯底上Ga2O3薄膜的制備及性質(zhì)研究.pdf
- 外延GaN襯底上ZnO-Ga薄膜的制備及特性研究.pdf
- 39757.表面處理藍(lán)寶石基片對zno薄膜性能的影響
- SiC襯底上GaN薄膜和LED的制備與研究.pdf
評論
0/150
提交評論