紅外探測(cè)材料電阻溫度特性的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、目前,紅外傳感器技術(shù)在軍事及民用等諸多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。由于測(cè)輻射熱計(jì)具有重量輕、動(dòng)態(tài)范圍大、響應(yīng)線性度好、無需制冷和斬波設(shè)備而使成本低等優(yōu)點(diǎn),從而成為主流的非制冷紅外熱探測(cè)器之一。
   熱敏感薄膜是微測(cè)輻射熱計(jì)的核心部分,但將其應(yīng)用于紅外熱成像探測(cè)卻鮮有報(bào)道。目前,紅外探測(cè)器核心部件仍然完全依靠進(jìn)口,因此研制具有高TCR和適當(dāng)?shù)氖覝仉娮柚?,且該制備工藝重?fù)性好、與微電子工藝兼容的熱敏薄膜,打破國(guó)外的技術(shù)壟斷,具有重要意

2、義。
   由于金屬材料用做熱敏電阻時(shí),相較于半導(dǎo)體材料,雖然TCR較低,但具有材料豐富、線性范圍寬、較低的噪聲、與硅集成工藝兼容性好等優(yōu)點(diǎn)。本文采用磁控濺射法制備金屬熱敏薄膜,材料選用高純(99.99%)的Ni、Ti、Al、Cr、TiW以及Pt,用四探針電阻特性測(cè)試儀測(cè)量所制備的熱敏薄膜的電阻特性,從而計(jì)算TCR。重點(diǎn)研究工作氣壓、氬氣流量、濺射功率及退火工藝等工藝參數(shù)對(duì)熱敏薄膜TCR的影響。實(shí)驗(yàn)和測(cè)試結(jié)果表明,沉積工藝參數(shù)和

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