InAlO3(ZnO)m超晶格納米線的合成及其形成機制研究.pdf

1、近年來，由于一維納米材料具有獨特的物理、化學(xué)特性以及在納米器件中的應(yīng)用前景，它的制備引起了人們的廣泛關(guān)注。ZnO是一種直接寬帶隙半導(dǎo)體（Eg=3.37 eV），是繼寬帶半導(dǎo)體材料GaN之后又一研究熱點，因其與GaN相比具有大的激子束縛能（60 meV），大于室溫下的熱離化能（26 meV），可保證在室溫下實現(xiàn)紫外激射，因而成為制作紫外激光器的眾多候選材料之一。ZnO對環(huán)境無害具有生物安全性，同時又是一種多功能半導(dǎo)體材料，高的機電耦合系數(shù)

2、、惡劣條件下的高穩(wěn)定性，使其在光發(fā)射器件等方面都有廣泛的應(yīng)用前景。對ZnO納米材料物理性質(zhì)的改善，是研究的重點。除了控制材料的尺寸、結(jié)構(gòu)外，在ZnO中摻入N、P等Ⅴ族元素也可實現(xiàn)ZnO從n型到p型的轉(zhuǎn)換；在ZnO中摻入Al、Ga、In等Ⅲ族元素，通過提高載流子濃度的辦法可增強其導(dǎo)電的能力。為了進(jìn)一步提高ZnO的紫外發(fā)光強度以及基于超晶格結(jié)構(gòu)的量子限域效應(yīng)可以提高材料的發(fā)光效率，InAlO3(ZnO)m超晶格納米線成為了研究的熱點。