GaP納米材料的可控合成及其與桑色素復(fù)合材料的研究.pdf

1、納米磷化鎵(GaP)是一種重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體納米材料,由于其不同于體材料的新穎的性質(zhì),特別是光學性質(zhì)和在納米光子學方面的潛在應(yīng)用,使其在科學研究和技術(shù)應(yīng)用上引起廣泛的興趣。但是目前制備GaP納米晶的方法還比較少,對反應(yīng)條件要求高,不僅要求無水無氧,還要求高溫,長時間反應(yīng),對納米晶的制備可控能力差,難以得到高品質(zhì)的納米晶。本文在課題組以前的工作基礎(chǔ)上,根據(jù)最近納米材料制備方法的進展和晶體生長的機理,采用了反膠束法和多步苯熱法試圖對

2、GaP納米晶的制備進行調(diào)控,以期得到高品質(zhì)的納米材料。經(jīng)過多次試驗,得到一些比較好的結(jié)果,并對這些結(jié)果進行了探討,為下一步納米材料的制備提供了基礎(chǔ)。
　　 在二甲苯溶液中加入CTAB形成反膠束,反膠束成為反應(yīng)發(fā)生的主要場所,反膠束在二甲苯中是球形,這樣得到的顆粒大部分是球形顆粒,粒徑都比較小,CTAB的包覆減弱了團聚,得到的顆粒分散性很好。多步苯熱法改變納米晶的品質(zhì),我們在經(jīng)過多次試驗后,得到了三次加料的最佳時間和最佳加入量。第

3、一次加料是成核,第二次是生長,第三次事提高結(jié)晶性,使顆粒尺寸分布變窄。最后我們得到了粒徑小且分布窄,單分散性好,結(jié)晶度高的GaP量子點。用紫外-可見光譜驗證其有很強的量子效應(yīng)。
　　 把制備GaP納米晶和桑色素用超聲波輻射法制備復(fù)合物,檢測復(fù)合物的紫外可見吸收光譜,和熒光發(fā)射光譜,兩種物質(zhì)原本吸收很弱,但是復(fù)合以后吸收很強,吸收峰的位置在兩個物質(zhì)之間且在配位場區(qū)域內(nèi),同時發(fā)射峰也是處于兩者的之間,這樣可以說明GaP納米晶表面和桑