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文檔簡介
1、鋁電解電容器的高性能、小型化,即高比電容化是當(dāng)前的發(fā)展趨勢。通過稀土微合金化提高電解電容器鋁箔的比電容,可以充分發(fā)揮稀土的資源優(yōu)勢,提高相關(guān)產(chǎn)品的競爭力。電容器比電容大小與鋁箔的電解腐蝕擴(kuò)面率密切相關(guān),因此,研究稀土Ce對(duì)電解電容器鋁箔的電解腐蝕的影響很有必要。 本研究以制備過程中添加不同Ce含量的稀土鋁箔和高純鋁箔為主要研究對(duì)象,通過先對(duì)鋁箔半成品進(jìn)行冷軋和再結(jié)晶退火以制成0.11mm厚的鋁箔,再對(duì)一定大小的鋁箔樣品依次經(jīng)過拋
2、光前處理、電解拋光、直流電解腐蝕、腐蝕后處理及腐蝕比電容測試。實(shí)驗(yàn)中,運(yùn)用Axiovert25型金相顯微鏡和QUANTA400環(huán)境掃描電子顯微鏡對(duì)腐蝕后鋁箔進(jìn)行了微觀觀察分析;并運(yùn)用英國Solartron公司的SI1287加SI1260EIS交流阻抗測試儀對(duì)腐蝕箔的比電容進(jìn)行了測試分析。之后,對(duì)大量所得實(shí)驗(yàn)照片和數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析,從而對(duì)Ce含量對(duì)鋁箔直流電解腐蝕的影響規(guī)律進(jìn)行了研究。 研究結(jié)果表明,外加電壓或電流、腐蝕液成分和溫
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