La-,2-O-,3-和TiO-,2-摻雜對(duì)ZnNb-,2-O-,6-微波介質(zhì)陶瓷微觀缺陷和介電常數(shù)的影響.pdf

1、本文通過測(cè)量La2O3、TiO2摻雜的ZnNb2O6系列微波介質(zhì)陶瓷材料的體積密度、符合正電子湮沒輻射的Doppler展寬譜和正電子壽命參數(shù)、相對(duì)介電常數(shù)，系統(tǒng)地研究了La2O3、TiO2摻雜ZnNb2O6系列微波介質(zhì)陶瓷材料微觀缺陷和介電常數(shù)的影響；討論了B位陽(yáng)離子取代以及采用具有較高介電常數(shù)的材料進(jìn)行復(fù)合這兩種方法對(duì)ZnNb2O6系列微波介質(zhì)陶瓷的相對(duì)介電常數(shù)的影響；探索不同燒結(jié)工藝和組分配比所到來的ZnNb2O6系列微波介質(zhì)陶瓷的

2、微觀結(jié)構(gòu)變化與介電常數(shù)之間的相互關(guān)系。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：
　　 (1)當(dāng)La2O3含量較低(x＜0.20)時(shí)，Zn-La2χNb2(1-χ)O(6-2χ)樣品的正電子平均壽命τm和缺陷濃度減小，致密度、商譜譜峰和介電常數(shù)εr升高。X=0.20時(shí)，樣品正電子平均壽命τm和缺陷濃度最小，致密度、商譜譜峰和介電常數(shù)εr最高。χ＞0.30時(shí)，樣品正電子平均壽命τm和缺陷濃度升高，致密度、商譜譜峰和介電常數(shù)εr降低。
　　 (2)對(duì)于

3、同一溫度燒結(jié)、組分相同的ZnNbl.6Ti0.2O5.4微波介質(zhì)陶瓷，保溫時(shí)間的增加有助于樣品的微觀缺陷減少和樣品的致密化，并取得了介電常數(shù)的增長(zhǎng)，但總的增長(zhǎng)幅度不大。
　　 (3)隨著Ti02含量的增加，ZnNb2(l-χ)TixO(6-3χ)陶瓷樣品的體積密度減小，致密度降低。在χ=0.60處，由于物相α—Zn2TiO4的出現(xiàn)而形成異常點(diǎn)。
　　 (4)隨著Ti02含量的增加，ZnNb2(1-χ)TixO(6-3χ)

4、陶瓷樣品的正電子平均壽命τm增大，致密度降低。當(dāng)χ=0.80時(shí)，1200℃燒結(jié)的陶瓷樣品的微觀缺陷最大，致密度最小。當(dāng)χ=0.90時(shí)，1100℃燒結(jié)的陶瓷樣品的微觀缺陷最大，致密度最小。在χ=0.60處，由于物相α—Zn2TiO4的出現(xiàn)而形成異常點(diǎn)。
　　 (5)隨著TiO2含量的增加，ZnNb2(1-χ)TixO(6-3χ)陶瓷樣品的介電常數(shù)εr增加。因?yàn)闊Y(jié)溫度的不同，1100℃燒結(jié)的樣品與1200℃燒結(jié)的樣品的變化規(guī)律有所