2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩119頁(yè)未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、4H-SiC 材料和高壓4H-SiC 肖特基二極管(SBD)器件具有優(yōu)越的性能,在國(guó)民經(jīng)濟(jì)和軍事等諸多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,例如電力電子領(lǐng)域就是最具代表性的工程應(yīng)用領(lǐng)域之一。高質(zhì)量的厚外延層4H-SiC 材料是制造高壓SBD 器件基礎(chǔ)。但毋庸諱言,無(wú)論從4H-SiC 外延材料生長(zhǎng)還是高壓SBD 器件的制造中依然存在很多問(wèn)題和困難,嚴(yán)重制約了高壓4H-SiC SBD 器件發(fā)展。
   國(guó)內(nèi)4H-SiC 單晶外延材料制備和4H-S

2、iC SBD 器件研制起步較晚,對(duì)4H-SiC寬禁帶半導(dǎo)體和4H-SiC SBD 器件關(guān)鍵理論問(wèn)題缺乏深入、細(xì)致和系統(tǒng)的研究,使得我國(guó)的整體水平與國(guó)際先進(jìn)水平尚存明顯差距,主要存在以下問(wèn)題:(1)高質(zhì)量4H-SiC 外延薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理和關(guān)鍵工藝尚未完全搞清;(2)沒(méi)有一套系統(tǒng)完整4H-SiC 單晶同質(zhì)外延的表征測(cè)量方法;(3)高壓SiC SBD 器件所采用的結(jié)終端結(jié)構(gòu)缺乏準(zhǔn)確數(shù)據(jù);(4)4H-SiC SBD 器件關(guān)鍵制造工藝還未解決。<

3、br>   在此背景下,本文針對(duì)上述主要問(wèn)題進(jìn)行了系統(tǒng)研究。主要的研究成果如下:
   1、在理論分析的基礎(chǔ)上,對(duì)化學(xué)氣相淀積(CVD)法4H-SiC 同質(zhì)外延生長(zhǎng)的關(guān)鍵工藝進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,得出影響這些材料參數(shù)的主要因素。確定了關(guān)鍵參數(shù)變化趨勢(shì),制定了完整的工藝流程。
   2、對(duì)4H-SiC 同質(zhì)外延薄膜進(jìn)行了檢測(cè)。提出了一種簡(jiǎn)易測(cè)試外延厚度的方法,即利用葉變換紅外光譜(Fourier Transform Infra

4、red Spectromtry)FTIR 反射譜對(duì)4H-SiC 同質(zhì)外延半導(dǎo)體薄膜的質(zhì)量進(jìn)行評(píng)價(jià),完善了用干涉條紋的頻率和強(qiáng)弱的方法來(lái)計(jì)算外延薄膜的厚度。用汞(Hg)探針C-V測(cè)試獲取4H-SiC 同質(zhì)外延縱向雜質(zhì)濃度分布的信息,并通過(guò)多點(diǎn)測(cè)試,得到外延片的摻雜濃度均勻性。借助掃描電子顯微鏡SEM和原子力顯微鏡AFM等顯微技術(shù)對(duì)4H-SiC 同質(zhì)外延薄膜樣品表面形貌進(jìn)行了定性和定量的測(cè)試分析。
   3、提出了高壓4H-SiC

5、SBD 器件反向擊穿電壓與4H-SiC 半導(dǎo)體材料臨界電場(chǎng)、外延層的摻雜濃度、外延層的厚度之間定量關(guān)系,研究了室溫下金屬碳化硅接觸的肖特基勢(shì)壘高度Фb、串聯(lián)電阻Ron和金屬與4H-SiC 緊密接觸形成歐姆接觸,并給出了它們的計(jì)算公式。證明了在溫度不太高的范圍(300K-500K)內(nèi),正向伏安特性符合熱電子發(fā)射理論。提出了一種計(jì)算反向電流密度的理論模型,模型的計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的比較表明,隧道效應(yīng)是常溫下反向電流的主要輸運(yùn)機(jī)理。但在溫度較

6、高時(shí),反向熱電子發(fā)射電流和耗盡層中復(fù)合中心產(chǎn)生電流都大大增加,不能再忽略不計(jì)。4、闡述了高壓4H-SiC SBD 結(jié)終端技術(shù)的必要性,原因是高壓4H-SiC SBD 結(jié)終端存在電場(chǎng)集中導(dǎo)致電壓下降。提出了平面結(jié)終端技術(shù):場(chǎng)板技術(shù)、保護(hù)環(huán)技術(shù)、腐蝕造型技術(shù)、場(chǎng)限環(huán)技術(shù)和結(jié)終端延伸技術(shù)等。介紹了數(shù)字模擬軟件ISE-TCAD10.0 特點(diǎn)、模擬運(yùn)行的過(guò)程、并對(duì)帶有場(chǎng)限環(huán)和結(jié)終端延伸的結(jié)終端技術(shù)的高壓4H-SiC SBD 進(jìn)行了耐壓特性模擬。通

7、過(guò)模擬得到襯底摻雜濃度、厚度和結(jié)終端結(jié)構(gòu)等參數(shù)對(duì)器件耐壓的影響關(guān)系,為高壓4H-SiC SBD的設(shè)計(jì)和研制做好準(zhǔn)備5、研究了歐姆接觸和肖特基接觸,它們是高壓4H-SiC SBD 器件研制的基礎(chǔ)和關(guān)鍵工藝。根據(jù)模擬結(jié)果,結(jié)合實(shí)際工藝條件,本文分別研制了具有結(jié)終端場(chǎng)限環(huán)保護(hù)的高壓Mo/4H-SiC SBD和Ni/4H-SiC SBD 器件及具有結(jié)終端延伸保護(hù)的高壓Ni/4H-SiC SBD 器件。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果指出此兩種平面結(jié)終端保護(hù)結(jié)構(gòu)是很

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論