CMOS射頻LC-VCO的AM-PM相位噪聲抑制技術研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近幾年無線通信系統(tǒng)的蓬勃發(fā)展推動了低成本、低功耗CMOS無線收發(fā)機的研究與開發(fā)。CMOS技術為射頻集成電路的低成本、低功耗實現提供了可能，但同時CMOS工藝固有的缺陷也使得CMOS電路的設計比較復雜。LC-VCO作為頻率綜合器的核心部件，其電路本身AM-PM轉化的相位噪聲，使得在CMOS工藝下的低功耗實現更加復雜。本文重點研究了LC-VCO的AM-PM轉化的相位噪聲抑制技術，主要內容包括兩個方面：
　　 首先，本文通過對單端LC

2、-VCO進行一系列電路理論分析，推導出了其AM-PM轉化因子，發(fā)現其電路AM-PM轉化的相位噪聲非常大，并且得知抑制該相位噪聲的關鍵在于減小諧振腔中可變電容的非線性效應。為此，對提出了兩種諧振腔改進電路進行理論分析，得出背對背LC-VCO電路具有明顯的AM-PM轉化抑制效應，而差分調諧LC-VCO電路對AM-PM轉化抑制能力較差。
　　 其次，為了驗證上述理論分析的有效性，本文基于 Cadence軟件中的Spectre-RF，采

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