SiGe高線性低噪聲射頻放大器的研究與設(shè)計.pdf

1、SiGe工藝具有優(yōu)異的射頻性能和較高的性價比，近年來被廣泛應(yīng)用于移動通信、衛(wèi)星定位和雷達(dá)追蹤等市場。SiGe工藝還可以與常規(guī)的數(shù)字和模擬電路相集成，制造出功能完整的SoC芯片。目前采用SiGe工藝制作RF IC已成為國際上的研究熱點。
　　現(xiàn)代無線通信業(yè)務(wù)的迅速發(fā)展要求越來越大的通信系統(tǒng)容量。為了實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)速率和頻譜效率，現(xiàn)代通信系統(tǒng)普遍采用線性調(diào)制技術(shù)，然而線性調(diào)制會使系統(tǒng)對電路的非線性因素非常敏感，所以，必須采取適當(dāng)?shù)木€性

2、化技術(shù)來提高電路的線性度，使得系統(tǒng)在線性調(diào)制時能夠正常工作，線性放大器的研究也因此成為了研究的熱點。低噪聲放大器(LNA)作為無線接收機的第一級，不僅要在引入盡可能少噪聲的情況下放大微弱信號，還必須在接收強信號時也能實現(xiàn)線性地放大信號，特別是在存在強干擾信號的情況下接收一個弱信號時，LNA必須保持線性工作，因此高線性LNA的研究有著重要的現(xiàn)實意義。本論文正是基于先進(jìn)的SiGe工藝，對高線性LNA進(jìn)行了研究與設(shè)計。
　　本文在參考大

3、量相關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，對各種提高LNA線性度的線性化方法進(jìn)行了深入分析和研究，詳細(xì)比較了各種方法的優(yōu)缺點和適用情況，在此基礎(chǔ)上對有源偏置技術(shù)進(jìn)行了改進(jìn)，并對其線性化原理進(jìn)行了公式推導(dǎo)。在公式推導(dǎo)的過程中，引入了高等數(shù)學(xué)中無窮小的概念，對公式進(jìn)行了泰勒級數(shù)展開，而不是采用傳統(tǒng)方法的直接省略無窮小項，使得推導(dǎo)更具說服力，得出的結(jié)論和線性化思想對高線性LNA的設(shè)計有一定的指導(dǎo)意義。
　　完成了LNA電路結(jié)構(gòu)原理圖的前仿真、芯片的版圖設(shè)計、