低溫磁控濺射ZAO薄膜工藝及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、氧化鋅(ZnO)是一種具有六方纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶Ⅱ—Ⅵ族半導(dǎo)體材料。Al摻雜的ZnO稱為ZAO。ZAO薄膜具有優(yōu)良的光電特性,原材料來源豐富,成本低廉,無毒,化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。因此,ZAO薄膜的制備近年來成為光電特性薄膜的研究重點(diǎn)。 本文通過低溫直流反應(yīng)磁控濺射法,在80℃的玻璃基片上制備了ZAO薄膜并對(duì)其進(jìn)行真空退火處理,用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、分光光度計(jì)、四探針測(cè)試儀等分析檢測(cè)方法

2、,對(duì)薄膜進(jìn)行測(cè)試分析,探索了低溫磁控濺射ZAO薄膜制備工藝。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,經(jīng)過原位沉積和退火處理的試樣均有明顯的c軸擇優(yōu)取向和良好的光電特性。薄膜制備工藝和真空退火工藝的最佳參數(shù)為:靶基距6cm,濺射時(shí)間30min,氧氣分壓12%,濺射功率60W;退火溫度500℃,退火時(shí)間1.5小時(shí)。 用最佳工藝參數(shù)制備的ZAO薄膜,在380nm波長附近處的最高透過率為90%,最低電阻率為2.52×10-3Ω·cm;經(jīng)過最佳真空退火工

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