脈沖功率源測控單元屏蔽效能研究及內(nèi)部磁場分布分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文以模塊化脈沖功率技術(shù)為背景,研究模塊內(nèi)部測控單元電磁干擾。隨著電磁發(fā)射技術(shù)的發(fā)展,對其中的脈沖功率源模塊提出了更高的要求,小型化、模塊化已成為發(fā)展趨勢。新技術(shù)的發(fā)展也帶來的新的困難,以前不太重視的電磁干擾也成為阻礙模塊發(fā)展的一個重要的研究領域。論文的主要內(nèi)容是測控單元屏蔽效能研究及內(nèi)部磁場分布分析。研究的內(nèi)容有以下幾點: 首先,介紹了脈沖功率源系統(tǒng)組成、工作原理,并通過軟件對模塊放電過程進行理論仿真,對測控單元受干擾途徑進

2、行了理論研究,并在此基礎上分析了抗干擾的措施。 其次,利用一般的電磁場定理對脈沖電抗器外部磁場理論計算進行了推導,并進行取點計算,通過頻譜分析,得到脈沖電抗器外部磁場的頻譜特性,并在此基礎上得到減小磁場對測控單元干擾的方法。 然后,選擇屏蔽點和合適的測試方法對測控單元內(nèi)部磁場測試,通過測試的實驗數(shù)據(jù)對測控單元屏蔽效能進行研究。 最后,在測控單元中選擇7個點,通過對這7個點的數(shù)據(jù)分析出模塊放電過程中測控單元內(nèi)部磁場

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