三維有序大孔Cu2O薄膜的制備及性能表征.pdf

1、本研究采用膠晶模板法制備三維有序大孔(3DOM) Cu2O薄膜并對其性能進(jìn)行表征。
　　采用通過乳液聚合方法制得的粒徑在200-600nm的單分散性聚苯乙烯(PS)膠體微球，利用垂直沉積法使微球發(fā)生自組裝得到PS膠體晶體模板。采用電化學(xué)沉積的方法將Cu2O填充到模板的空隙中。采用有機(jī)溶劑四氫呋喃浸泡2h去除PS模板得到3DOM Cu2O薄膜。
　　利用能譜(Energy Dispersive Spectrometer, ED

2、S)，X-射線衍射(X-ray Diffraction，XRD)，X-射線光電子能譜(X-Ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)對直接在ITO導(dǎo)電玻璃基板上電沉積得到的薄膜材料的成分進(jìn)行表征，結(jié)果表明制備所得到的薄膜成分為純的立方相Cu2O晶體；運(yùn)用電化學(xué)測試方法研究水溶液體系中Cu2O的陰極電沉積過程，由循環(huán)伏安(CV)曲線確定了沉積電位，而電流-時間(I-t)曲線則反映了Cu2O電沉積過程的電流變化

3、情況。
　　采用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope, AFM)和掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)對直接在ITO導(dǎo)電玻璃基板上電沉積得到的Cu2O薄膜及3DOM Cu2O薄膜的微觀形貌進(jìn)行表征。研究了電沉積工藝（pH、沉積電位、沉積時間和電解液溫度等）對直接電沉積所得Cu2O薄膜及3DOM Cu2O薄膜形貌的影響，及模板（微球粒徑、排列方式及缺陷）對3DOM