左手材料及等離子體太赫茲波電磁特性研究.pdf

1、隱身與反隱身技術(shù)是現(xiàn)代備受關(guān)注的電子對抗內(nèi)容之一，各種隱身和反隱身技術(shù)的應(yīng)用促進(jìn)了武器裝備突破性的進(jìn)展。
　　 為研究左手材料在隱身領(lǐng)域中的應(yīng)用，太赫茲波作為雷達(dá)探測波源實(shí)現(xiàn)等離子體反隱身的可行性，本學(xué)位論文用時(shí)域有限差分方法研究了左手材料的電磁特性以及等離子體與太赫茲波的相互作用。
　　 首先，本文從色散介質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系出發(fā)，推導(dǎo)了描述左手材料中電磁波特性的時(shí)域有限差分方法，并用該方法數(shù)值模擬了電磁波在左手材料中的傳播，

2、驗(yàn)證了左手材料平板對入射線源的聚焦作用。重點(diǎn)計(jì)算了有、無左手材料涂敷層的普通導(dǎo)體柱的雷達(dá)散射截面，結(jié)果表明：左手材料涂敷層可以在較寬頻帶內(nèi)明顯縮減目標(biāo)的雷達(dá)散射截面，起到隱身的作用。另外，通過增加左手材料的等離子體頻率、等離子體碰撞頻率和涂覆層厚度，均有利于目標(biāo)雷達(dá)散射截面的縮減，從而增強(qiáng)目標(biāo)的隱身效果。
　　 其次，本文用具有較高精度和計(jì)算效率的分段線性電流密度遞歸卷積時(shí)域有限差分方法分析了等離子體與太赫茲波的相互作用，分別計(jì)