2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文基于射頻CMOS工藝的肖特基二極管建模和特性研究姓名：王楠申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：微電子與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：汪輝20081201上海交通大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACT第II頁(yè)TheModelingacteristicAnalysesofSchottkyDiodebasedonRFCMOSTechnologyABSTRACTWithfastdevelopmentoftheradiofrequencywire

2、lesscommunicationsindustrythedemfhighperfmancebutlowcostRFsolutionsisrisingsharply.AsimptantelementsinRFcircuitspassivedeviceshavedrawnmuchattention.SchottkyBarrierDiode(SBD)isoneoftheimptantcomponentsintheRFcircuits.It’

3、sakindofmajitycarrierdevicewithimprovedhighfrequencycapabilityowingtotheabsenceofminitycarrierstage.ItsapplicationsincludeRFsignalrectificationdetectionmixingimaging.WhenthecircuitsisoperatingintheRFrangethesimpleSPICEdi

4、odemodelisinsufficienttodescribetheintegratedSchottkydiodeacteristicsduetothebulkeffectsintroducedbythelossySisubstrate.InthiswkwedesignfabricateSBDntypeCoSi2SiSBDinSMIC0.18μmRFCMOSprocess.basedontheDCRFmeasureddataanove

5、laccurateSchottkydiodemodelwasdevelopedrelevantparameterextractionmethodisalsointroducedindetailinthisthesis.It’sshownthatthesuggestednovelmodelfitsthemeasurementverywellfdifferentvoltagebiasesoverwidefrequencyrangeof0.1

6、GHzto40GHz.TheresearchofRFCMOStechnologyinthepapercanoffersometheeticguidancefapplyingSBDintheRFIC.TheoptimizationoftheSBDlayouthaspracticaldirectiontoimprovetheperfmanceofdevices.ThemodelingofDCRFcanprovidebasistotakefu

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