CMOS圖像傳感器的圖像降噪技術(shù)的研究.pdf

1、隨著集成電路制造工藝技術(shù)的發(fā)展和集成電路設(shè)計(jì)水平的不斷提高，基于CMOS集成電路工藝技術(shù)制造的CMOS圖像傳感器由于其集成度高、功耗低、體積小、工藝簡(jiǎn)單、成本低且開(kāi)發(fā)周期較短等優(yōu)勢(shì)，目前在諸多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，特別是數(shù)碼產(chǎn)品如數(shù)碼相機(jī)、照相手機(jī)的圖像傳感器應(yīng)用方面，市場(chǎng)前景廣泛，因此對(duì)CMOS圖像傳感器的研究與開(kāi)發(fā)有著非常高的市場(chǎng)價(jià)值。 本文首先概述了國(guó)內(nèi)外CMOS圖像傳感器的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀，比較了CMOS圖像傳感器與CCD

2、圖像傳感器的性能特點(diǎn)，指出了本課題研究的目的和意義。在敘述了CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)和工作原理的同時(shí)，對(duì)三種像素結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器做了簡(jiǎn)要介紹。在分析CMOS圖像傳感器讀出電路的基礎(chǔ)上，詳細(xì)介紹了其像素單元內(nèi)存在各種噪聲及其來(lái)源，并建立噪聲模型，再給出了相應(yīng)的噪聲抑制方法。在這里重點(diǎn)討論了存在于CMOS圖像傳感器列讀出電路中的固定模式噪聲及其抑制電路，并提出了一種改進(jìn)型的噪聲抑制電路，在HSPICE仿真環(huán)境下，對(duì)該電路進(jìn)行仿真測(cè)試